| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第12-15页 |
| 2 SiCMOSFET工作原理及工作特性分析 | 第15-37页 |
| 2.1 SiCMOSFET器件结构及工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.1 器件结构 | 第15页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 静态等效电路及其特性 | 第16-17页 |
| 2.3 SiCMOSFET在感性负载下的开关特性 | 第17-25页 |
| 2.3.1 SiCMOSFET开关状态的等效电路 | 第17-18页 |
| 2.3.2 开通过程 | 第18-22页 |
| 2.3.3 关断过程 | 第22-25页 |
| 2.4 寄生参数对SiCMOSFET开关的影响 | 第25-34页 |
| 2.4.1 栅极电感LG的影响 | 第25-27页 |
| 2.4.2 源极寄生电感LS的影响 | 第27-29页 |
| 2.4.3 漏极寄生电感LD的影响 | 第29-31页 |
| 2.4.4 栅源极电容CGS的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.5 栅漏极电容CGD的影响 | 第32-34页 |
| 2.5 安全工作区 | 第34-35页 |
| 2.6 失效原因 | 第35-36页 |
| 2.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 SiC驱动电路研究与设计 | 第37-51页 |
| 3.1 Si功率MOSFET驱动电路与SiIGBT驱动电路 | 第37-39页 |
| 3.2 SiCMOSFET驱动特性分析 | 第39页 |
| 3.3 SiCMOSFET驱动电源 | 第39-47页 |
| 3.3.1 驱动电压选择 | 第40-42页 |
| 3.3.2 驱动电阻的选取 | 第42-43页 |
| 3.3.3 驱动电流 | 第43-44页 |
| 3.3.4 驱动功率计算 | 第44-45页 |
| 3.3.5 DC/DC隔离电源 | 第45-47页 |
| 3.4 信号隔离方式选取 | 第47-48页 |
| 3.5 功率放大电路设计 | 第48页 |
| 3.6 驱动信号预处理 | 第48-50页 |
| 3.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 SiCMOSFET保护电路研究与设计 | 第51-59页 |
| 4.1 过电流保护 | 第51-55页 |
| 4.1.1 过电流故障分析 | 第51-52页 |
| 4.1.2 过电流故障检测与保护 | 第52-54页 |
| 4.1.3 过电流保护电路的设计 | 第54-55页 |
| 4.2 过电压保护 | 第55-57页 |
| 4.2.1 过电压故障分析 | 第55-56页 |
| 4.2.2 过电压保护电路设计 | 第56-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 5 实验测试及结果分析 | 第59-65页 |
| 5.1 双脉冲测试平台简介 | 第59-60页 |
| 5.2 双脉冲驱动测试实验 | 第60-63页 |
| 5.3 过流保护实验验证 | 第63-64页 |
| 5.4 实验结果及分析 | 第64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 6 结论与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 全文总结 | 第65页 |
| 6.2 展望未来 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 作者攻读学位期间发表学术论文清单 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |