| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 ZnO的研究现状及进展 | 第13-18页 |
| 1.3.1 Ⅰ族元素掺杂 | 第15-16页 |
| 1.3.2 Ⅴ族元素掺杂 | 第16-17页 |
| 1.3.3 其他元素掺杂方法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 共掺杂方法 | 第18页 |
| 1.4 p-ZnO制备中存在的问题 | 第18-19页 |
| 1.5 本文选题依据及主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 ZnO薄膜的制备及表征 | 第21-29页 |
| 2.1 ZnO薄膜常见制备方法 | 第21-23页 |
| 2.2 样品表征与分析手段 | 第23-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第23-25页 |
| 2.2.2 晶体的光学吸收谱 | 第25-27页 |
| 2.2.3 晶体的发光光谱 | 第27页 |
| 2.2.4 半导体中的霍尔效应 | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 N掺杂ZnO薄膜的制备及表征 | 第29-35页 |
| 3.1 N掺杂ZnO薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 3.2 N掺杂氧化锌薄膜的光学性质 | 第30-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Zn_3N_2 薄膜和Zn_3N_2:B薄膜热处理制备p-ZnO及其表征 | 第35-54页 |
| 4.1 磁控溅射技术中，实验参数对Zn_3N_2 薄膜的影响 | 第35-41页 |
| 4.1.1 X-射线表征气体分压，衬底温度，射频功率对薄膜的影响 | 第35-39页 |
| 4.1.2 Zn_3N_2 薄膜的光学性质 | 第39-41页 |
| 4.2 氨气作为反应气体对Zn_3N_2 薄膜生长的影响。 | 第41-45页 |
| 4.3 B、N共掺ZnO薄膜的制备 | 第45-47页 |
| 4.4 B、N共掺ZnO薄膜的光电性质的研究 | 第47-52页 |
| 4.4.1 氮气作为反应气体制备B、N共掺ZnO薄膜光学、电学性质的研究 | 第47-49页 |
| 4.4.2 氨气作为反应气体制备B、N共掺ZnO薄膜光学、电学性质的研究 | 第49-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
