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基于三重晶格光子晶体多波长THz调制器的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第7-20页
    1.1 THz通信研究进展第7-10页
        1.1.1 THz技术简介第7-8页
        1.1.2 THz通信的研究进展第8-10页
    1.2 光子晶体器件研究进展第10-14页
        1.2.1 光子晶体简介第10-12页
        1.2.2 光子晶体器件的研究进展第12-14页
    1.3 THz调制器研究进展第14-18页
        1.3.1 THz调制器简介第14页
        1.3.2 光子晶体THz调制器的研究进展第14-18页
    1.4 论文的研究重点和安排第18-20页
第二章 三重晶格光子晶体的理论分析方法第20-32页
    2.1 三重晶格光子晶体带隙的理论分析第20-25页
        2.1.1 平面波展开法简介第20-21页
        2.1.2 三重晶格光子晶体带隙的计算第21-25页
    2.2 三重晶格中引入多个点缺陷时电磁场分布的理论分析第25-30页
        2.2.1 多点缺陷存在时三重晶格光子晶体中电磁场的分布第25-27页
        2.2.2 求解多点缺陷存在时三重晶格光子晶体的电磁场分布的条件第27-30页
    2.3 小结第30-32页
第三章 三重晶格光子晶体多波长THz调制器的原理和结构设计第32-51页
    3.1 多波长调制器的调制原理第32-33页
    3.2 光子晶体的结构设计第33-35页
        3.2.1 光子晶体材料的选取第33-34页
        3.2.2 光子晶体的晶格结构第34-35页
    3.3 三重晶格光子晶体多波长 THz 调制器的结构设计第35-50页
        3.3.1 线缺陷的选取第36-38页
        3.3.2 点缺陷的选取第38-50页
    3.4 小结第50-51页
第四章 三重晶格光子晶体多波长THz调制器的性能分析第51-66页
    4.1 调制器的性能指标第51-52页
    4.2 三重晶格光子晶体多波长THz调制器的性能分析第52-65页
        4.2.1 调制过程第52-53页
        4.2.2 单波长入射时调制器的性能分析第53-58页
        4.2.3 三波长入射时调制器的性能分析第58-62页
        4.2.4 六波长入射时调制器的性能分析第62-65页
    4.3 小结第65-66页
第五章 总结与展望第66-69页
    5.1 论文总结第66页
    5.2 展望第66-69页
参考文献第69-72页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第72-73页
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目第73-74页
致谢第74页

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