| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-17页 |
| 1.1.1 GaN-LED的发展历史 | 第10-13页 |
| 1.1.2 纳米柱GaN-LED国内外研究状况 | 第13-15页 |
| 1.1.3 纳米柱的制备工艺 | 第15-17页 |
| 1.2 硅衬底GaN基 LED技术 | 第17-19页 |
| 1.2.1 GaN基 LED衬底的发展 | 第17-18页 |
| 1.2.2 硅衬底GaN基 LED技术 | 第18-19页 |
| 1.3 课题研究的背景和意义 | 第19-20页 |
| 1.4 课题研究的主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 硅基纳米柱GaN-LED的基本原理及理论模型 | 第22-28页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 GaN基 LED的基本原理 | 第22-24页 |
| 2.2.1 GaN基 LED的结构 | 第22-23页 |
| 2.2.2 GaN基 LED的发光原理 | 第23-24页 |
| 2.3 物理模型及方程 | 第24-27页 |
| 2.3.1 载流子能带及输运模型 | 第24-25页 |
| 2.3.2 复合理论 | 第25-27页 |
| 2.3.3 量子阱结构模型 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 硅基纳米柱GaN-LED的制备与光电性能研究 | 第28-42页 |
| 3.1 前言 | 第28页 |
| 3.2 实验设备及装置 | 第28-29页 |
| 3.3 硅基GaN纳米柱结构生长 | 第29-33页 |
| 3.3.1 GaN基外延层的结构设计 | 第29-30页 |
| 3.3.2 GaN纳米柱的生长 | 第30-33页 |
| 3.4 硅基GaN纳米柱LED的微纳加工制备 | 第33-38页 |
| 3.5 硅基纳米柱GaN-LED的光电特性及分析 | 第38-41页 |
| 3.5.1 硅基纳米柱GaN-LED的 IV特性 | 第38页 |
| 3.5.2 硅基纳米柱GaN-LED的光谱特性 | 第38-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 硅基纳米柱GaN-LED的仿真分析 | 第42-65页 |
| 4.1 前言 | 第42页 |
| 4.2 半导体工艺和器件仿真工具Silvaco TCAD | 第42-44页 |
| 4.3 硅基纳米柱GaN-LED的仿真分析 | 第44-64页 |
| 4.3.1 模型建立 | 第44-45页 |
| 4.3.2 纳米柱结构与平面结构性能对比 | 第45-49页 |
| 4.3.3 量子阱周期数对纳米柱GaN-LED性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.3.4 量子阱结构厚度对纳米柱GaN-LED性能的影响 | 第52-57页 |
| 4.3.5 量子阱层In组分对纳米柱GaN-LED性能的影响 | 第57-61页 |
| 4.3.6 量子阱材料对纳米柱GaN-LED性能的影响 | 第61-63页 |
| 4.3.7 模拟仿真结果分析及优化 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 本论文工作总结 | 第65-66页 |
| 5.2 未来进一步工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第69-70页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
