| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-48页 |
| 1.1 前言 | 第14-15页 |
| 1.2 硒化物半导体材料的制备工艺 | 第15-29页 |
| 1.2.1 硒化物块体半导体的制备 | 第15-18页 |
| 1.2.2 硒化物纳米半导体的制备 | 第18-25页 |
| 1.2.3 硒化物半导体薄膜的制备 | 第25-29页 |
| 1.3 硒化物半导体光电探测器简介 | 第29-38页 |
| 1.3.1 半导体光电探测器的工作机制 | 第29-33页 |
| 1.3.2 半导体光电探测器的分类 | 第33-37页 |
| 1.3.3 光电探测器的主要性能参数 | 第37-38页 |
| 1.4 半导体光伏器件简介 | 第38-46页 |
| 1.4.1 太阳能电池的工作原理 | 第39-40页 |
| 1.4.2 太阳能电池的研究进展 | 第40-42页 |
| 1.4.3 硒化锑薄膜太阳能电池简介 | 第42-46页 |
| 1.5 论文立题依据及研究内容 | 第46-48页 |
| 第二章 实验与测试技术 | 第48-58页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第48-49页 |
| 2.1.1 实验试剂和规格 | 第48-49页 |
| 2.1.2 实验仪器和设备 | 第49页 |
| 2.2 样品的组成、结构和性能表征手段 | 第49-58页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第49-50页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第50页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第50-51页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱分析 | 第51页 |
| 2.2.5 漫反射光谱分析 | 第51-52页 |
| 2.2.6 薄膜的反射、透射光谱分析 | 第52页 |
| 2.2.7 霍尔效应测试分析 | 第52-53页 |
| 2.2.8 三电极法光电化学性能测试分析 | 第53-55页 |
| 2.2.9 半导体p/n型测试分析 | 第55-56页 |
| 2.2.10 光电探测器性能测试 | 第56页 |
| 2.2.11 薄膜太阳能电池性能测试 | 第56-58页 |
| 第三章 电导率增强的Sb_2Se_3纳米棒的制备及其高性能光电探测器应用研究 | 第58-96页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-64页 |
| 3.2.1 热注入法制备纳米材料的原理 | 第60-61页 |
| 3.2.2 热注入法制备Sb_2Se_3纳米棒 | 第61-62页 |
| 3.2.3 热注入法制备Sb_2Se_3/AgSbSe_2异质结纳米棒 | 第62页 |
| 3.2.4 热注入法制备AgSbSe_2纳米颗粒 | 第62-63页 |
| 3.2.5 热注入法制备(Sn_xSb_(1-x))_2Se_3纳米棒 | 第63页 |
| 3.2.6 纳米棒薄膜光电探测器的构建 | 第63页 |
| 3.2.7 测试方法 | 第63-64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-92页 |
| 3.3.1 Sb_2Se_3纳米棒的制备与表征 | 第64-69页 |
| 3.3.2 Sb_2Se_3纳米棒薄膜光电探测器光电性能研究 | 第69-71页 |
| 3.3.3 Sb_2Se_3/AgSbSe_2异质结纳米棒的制备与表征 | 第71-78页 |
| 3.3.4 Sb_2Se_3/AgSbSe_2异质结纳米棒薄膜光电探测器光电性能研究 | 第78-81页 |
| 3.3.5 (Sn_xSb_(1-x))_2Se_3纳米棒的制备与表征 | 第81-87页 |
| 3.3.6 (Sn_xSb_(1-x))_2Se_3纳米棒薄膜光电探测器光电性能研究 | 第87-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92-96页 |
| 第四章 增强电导率和光电导性能的Sn掺杂Sb_2Se_3多晶半导体研究 | 第96-112页 |
| 4.1 引言 | 第96页 |
| 4.2 实验部分 | 第96-98页 |
| 4.2.1 高温熔制法制备(Sn_xSb_(1-x))_2Se_3晶体 | 第97页 |
| 4.2.2 测试方法 | 第97-98页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第98-109页 |
| 4.3.1 (Sn_xSb_(1-x))_2Se_3多晶半导体的制备与表征 | 第98-103页 |
| 4.3.2 (Sn_xSb_(1-x))_2Se_3多晶半导体的电性能分析 | 第103-104页 |
| 4.3.3 (Sn_xSb_(1-x))_2Se_3多晶半导体的光电导性能研究 | 第104-109页 |
| 4.4 本章小结 | 第109-112页 |
| 第五章 磁控溅射Sb_2Se_3基薄膜及其准同质结薄膜太阳能电池研究 | 第112-142页 |
| 5.1 引言 | 第112-113页 |
| 5.2 实验部分 | 第113-117页 |
| 5.2.1 磁控溅射镀膜的原理 | 第113-114页 |
| 5.2.2 Sb_2Se_3基靶材的制备 | 第114-115页 |
| 5.2.3 Sb_2Se_3基薄膜的制备 | 第115-116页 |
| 5.2.4 准同质结Sb_2Se_3薄膜太阳能电池的制备 | 第116-117页 |
| 5.2.5 测试方法 | 第117页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第117-140页 |
| 5.3.1 Sb_2Se_3基靶材的组成与表面形貌分析 | 第117-119页 |
| 5.3.2 Sb_2Se_3基薄膜的组成与微观形貌分析 | 第119-127页 |
| 5.3.3 薄膜的光学性能分析 | 第127-132页 |
| 5.3.4 薄膜的光电化学性能分析 | 第132-135页 |
| 5.3.5 准同质结薄膜太阳能电池研究 | 第135-140页 |
| 5.4 本章小结 | 第140-142页 |
| 第六章 γ-In_2Se_3纳米花的合成及高性能γ-In_2Se_3/Si异质结光电二极管应用研究 | 第142-158页 |
| 6.1 引言 | 第142-143页 |
| 6.2 实验部分 | 第143-144页 |
| 6.2.1 热注入法制备γ-In_2Se_3纳米花 | 第143页 |
| 6.2.2 γ-In_2Se_3/Si异质结光电二极管的制备 | 第143-144页 |
| 6.2.3 测试方法 | 第144页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第144-156页 |
| 6.3.1 γ-In_2Se_3纳米花的制备与表征 | 第144-149页 |
| 6.3.2 高性能γ-In_2Se_3/Si异质结光电二极管构建与性能研究 | 第149-156页 |
| 6.4 本章小结 | 第156-158页 |
| 第七章 结论与展望 | 第158-162页 |
| 7.1 结论 | 第158-160页 |
| 7.2 展望 | 第160-162页 |
| 参考文献 | 第162-176页 |
| 致谢 | 第176-178页 |
| 个人简历 | 第178-180页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第180页 |
