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缓冲层对AZO和VO2薄膜光电性能的影响

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-22页
    1.1 引言第10页
    1.2 AZO透明导电薄膜研究概述第10-15页
        1.2.1 TCO薄膜的发展第10-12页
        1.2.2 AZO薄膜的晶体结构第12-13页
        1.2.3 AZO薄膜的研究进展第13页
        1.2.4 AZO/Metal/AZO薄膜的研究进展第13-15页
    1.3 VO_2薄膜的研究概述第15-18页
        1.3.1 相变材料的发展第15-16页
        1.3.2 VO_2薄膜的相转变特性第16-17页
        1.3.3 VO_2薄膜的研究进展第17-18页
        1.3.4 VO_2薄膜的应用第18页
    1.4 缓冲层技术第18-19页
    1.5 薄膜的制备方法第19-21页
        1.5.1 脉冲激光沉积法第19-20页
        1.5.2 真空蒸发镀膜法第20页
        1.5.3 金属有机化学气相沉积法第20页
        1.5.4 溶胶-凝胶法第20-21页
        1.5.5 喷雾热分解法第21页
    1.6 本论文的研究意义及主要内容第21-22页
2 薄膜制备技术和测试方法第22-30页
    2.1 薄膜的制备技术第22-25页
        2.1.1 脉冲激光沉积系统第22-24页
        2.1.2 磁控溅射系统第24-25页
    2.2 薄膜的测试方法第25-30页
        2.2.1 X射线衍射第25页
        2.2.2 拉曼光谱第25-26页
        2.2.3 原子力显微镜第26页
        2.2.4 霍尔效应测试仪第26-28页
        2.2.5 紫外-可见-红外光分光光度计第28-30页
3 缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响第30-46页
    3.1 Ag缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响第30-37页
        3.1.1 样品制备第30-31页
        3.1.2 实验结果与讨论第31-37页
        3.1.3 小结第37页
    3.2 Zr Cu缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响第37-45页
        3.2.1 Zr Cu厚度对AZO薄膜光电性能的影响第38-41页
            3.2.1.1 样品制备第38页
            3.2.1.2 结果与讨论第38-41页
        3.2.2 基底温度对AZO/Zr Cu/AZO薄膜光电特性的研究第41-45页
            3.2.2.1 样品制备第41页
            3.2.2.2 结果与讨论第41-45页
    3.3 本章小结第45-46页
4 TiO_2缓冲层对VO_2相变特性的影响第46-58页
    4.1 蓝宝石衬底上VO_2薄膜的生长和性质研究第46-52页
        4.1.1 样品制备第46-47页
        4.1.2 结果与讨论第47-52页
    4.2 TiO_2缓冲层对玻璃衬底生长VO_2薄膜光电性能的影响第52-56页
        4.2.1 样品制备第52-53页
        4.2.2 结果与讨论第53-56页
    4.3 本章小结第56-58页
5 结论第58-60页
参考文献第60-68页
作者简历第68-70页
学位论文数据集第70页

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