致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第10-22页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 AZO透明导电薄膜研究概述 | 第10-15页 |
1.2.1 TCO薄膜的发展 | 第10-12页 |
1.2.2 AZO薄膜的晶体结构 | 第12-13页 |
1.2.3 AZO薄膜的研究进展 | 第13页 |
1.2.4 AZO/Metal/AZO薄膜的研究进展 | 第13-15页 |
1.3 VO_2薄膜的研究概述 | 第15-18页 |
1.3.1 相变材料的发展 | 第15-16页 |
1.3.2 VO_2薄膜的相转变特性 | 第16-17页 |
1.3.3 VO_2薄膜的研究进展 | 第17-18页 |
1.3.4 VO_2薄膜的应用 | 第18页 |
1.4 缓冲层技术 | 第18-19页 |
1.5 薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
1.5.1 脉冲激光沉积法 | 第19-20页 |
1.5.2 真空蒸发镀膜法 | 第20页 |
1.5.3 金属有机化学气相沉积法 | 第20页 |
1.5.4 溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
1.5.5 喷雾热分解法 | 第21页 |
1.6 本论文的研究意义及主要内容 | 第21-22页 |
2 薄膜制备技术和测试方法 | 第22-30页 |
2.1 薄膜的制备技术 | 第22-25页 |
2.1.1 脉冲激光沉积系统 | 第22-24页 |
2.1.2 磁控溅射系统 | 第24-25页 |
2.2 薄膜的测试方法 | 第25-30页 |
2.2.1 X射线衍射 | 第25页 |
2.2.2 拉曼光谱 | 第25-26页 |
2.2.3 原子力显微镜 | 第26页 |
2.2.4 霍尔效应测试仪 | 第26-28页 |
2.2.5 紫外-可见-红外光分光光度计 | 第28-30页 |
3 缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响 | 第30-46页 |
3.1 Ag缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响 | 第30-37页 |
3.1.1 样品制备 | 第30-31页 |
3.1.2 实验结果与讨论 | 第31-37页 |
3.1.3 小结 | 第37页 |
3.2 Zr Cu缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响 | 第37-45页 |
3.2.1 Zr Cu厚度对AZO薄膜光电性能的影响 | 第38-41页 |
3.2.1.1 样品制备 | 第38页 |
3.2.1.2 结果与讨论 | 第38-41页 |
3.2.2 基底温度对AZO/Zr Cu/AZO薄膜光电特性的研究 | 第41-45页 |
3.2.2.1 样品制备 | 第41页 |
3.2.2.2 结果与讨论 | 第41-45页 |
3.3 本章小结 | 第45-46页 |
4 TiO_2缓冲层对VO_2相变特性的影响 | 第46-58页 |
4.1 蓝宝石衬底上VO_2薄膜的生长和性质研究 | 第46-52页 |
4.1.1 样品制备 | 第46-47页 |
4.1.2 结果与讨论 | 第47-52页 |
4.2 TiO_2缓冲层对玻璃衬底生长VO_2薄膜光电性能的影响 | 第52-56页 |
4.2.1 样品制备 | 第52-53页 |
4.2.2 结果与讨论 | 第53-56页 |
4.3 本章小结 | 第56-58页 |
5 结论 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-68页 |
作者简历 | 第68-70页 |
学位论文数据集 | 第70页 |