| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 阻变存储器 | 第10-15页 |
| 1.2.1 阻变存储器简介 | 第10-12页 |
| 1.2.2 阻变存储器的性能参数 | 第12-13页 |
| 1.2.3 阻变存储器的阻变机制 | 第13-15页 |
| 1.3 低功耗及多值存储阻变器件研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的研究内容及研究意义 | 第16-18页 |
| 第二章 阻变存储器件的构建及测试表征 | 第18-24页 |
| 2.1 阻变存储器件的制备设备 | 第18-19页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第18-19页 |
| 2.1.2 电子束蒸发 | 第19页 |
| 2.2 薄膜表征设备 | 第19-22页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.2 椭圆偏振光谱仪 | 第20-21页 |
| 2.2.3 场发射扫描电镜 | 第21-22页 |
| 2.2.4 X射线光电能谱仪 | 第22页 |
| 2.3 电学测试系统 | 第22-24页 |
| 第三章 氧化铪阻变存储器件的性能优化 | 第24-35页 |
| 3.1 Ni/HfO_x/TiN结构阻变存储器件的构建 | 第24-26页 |
| 3.2 不同氧化铪厚度对阻变存储器件性能的影响 | 第26-28页 |
| 3.3 不同氧分压对阻变存储器件性能的影响 | 第28-34页 |
| 3.3.1 不同氧分压对HfO_x薄膜围微观特性的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.2 不同氧分压对阻变存储器件性能的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.3 Ni/HfO_x/TiN阻变存储器件机制研究 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 新型HfO_x结构及低功耗多值存储阻变器件 | 第35-47页 |
| 4.1 二硫化钼插层对阻变存储器件性能的影响 | 第35-39页 |
| 4.1.1 Ag/HfO_x/MoS_2/HfO_x/TiN阻变存储器件的构建 | 第35-37页 |
| 4.1.2 二硫化钼插层对阻变特性的影响 | 第37-38页 |
| 4.1.3 Ag/HfO_x/MoS_2/HfO_x/TiN阻变存储器件机制研究 | 第38-39页 |
| 4.2 Ni/HfO_x/TiN低功耗阻变存储器件 | 第39-42页 |
| 4.3 Al/HfO_x/TiN多值存储阻变存储器件 | 第42-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 全文总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
