| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 阻变存储器(RRAM) | 第9-10页 |
| 1.1.1 RRAM的简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 RRAM的性能指标 | 第10页 |
| 1.2 阻变存储器的阻变机制 | 第10-15页 |
| 1.2.1 离子型阻变类型 | 第11-13页 |
| 1.2.2 电子型阻变类型 | 第13-15页 |
| 1.3 柔性电子器件的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 柔性阻变存储器的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.5 研究内容及研究意义 | 第21-23页 |
| 第二章 阻变存储器的制备及表征技术 | 第23-28页 |
| 2.1 阻变存储器的制备 | 第23-25页 |
| 2.1.1 Al电极的制备——高真空电子束蒸发设备 | 第23-24页 |
| 2.1.2 阻变层TiOx薄膜的制备——超高真空多功能溅射设备 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜与器件表征 | 第25-28页 |
| 2.2.1 椭圆偏振光谱仪 | 第25页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第25-26页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱仪 | 第26-27页 |
| 2.2.4 半导体参数分析仪 | 第27-28页 |
| 第三章 弯曲对ATA结构电子型柔性阻变器件的性能影响 | 第28-39页 |
| 3.1 ATA结构电子型柔性阻变器件的性能优化 | 第28-32页 |
| 3.1.1 限制电流对器件阻变特性的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.2 TiOx薄膜厚度对器件阻变特性的影响 | 第29-32页 |
| 3.2 不同弯曲半径对ATA电子型柔性阻变器件性能的影响 | 第32-34页 |
| 3.3 不同弯曲次数对ATA电子型柔性阻变器件性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.4 弯曲对ATA结构电子型柔性器件Retention性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 ATA结构电子型柔性阻变器件的良好柔韧性分析 | 第39-46页 |
| 4.1 弯曲对电极和阻变层薄膜的影响 | 第39-42页 |
| 4.2 弯曲对ATA电子型柔性阻变器件的传输机制影响 | 第42-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
