摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 研究氮化铝(AlN)薄膜的意义 | 第9-10页 |
1.2 国内外研究现状 | 第10-18页 |
1.2.1 AlN 晶体概况 | 第10-11页 |
1.2.2 氮化铝的性能及用途 | 第11-12页 |
1.2.3 氮化铝薄膜的制备方法 | 第12-16页 |
1.2.4 氮化铝薄膜的应用前景和发展方向 | 第16-18页 |
1.3 本论文研究的目的和主要内容 | 第18-19页 |
1.3.1 本论文研究的目的 | 第18页 |
1.3.2 本论文研究的主要内容 | 第18-19页 |
参考文献 | 第19-23页 |
第二章 用脉冲激光沉积法制备氮化铝薄膜 | 第23-31页 |
2.1 脉冲激光沉积系统 | 第23-24页 |
2.2 制备AlN 薄膜 | 第24-25页 |
2.2.1 试验准备 | 第24页 |
2.2.2 AlN 薄膜沉积试验 | 第24-25页 |
2.3 AlN 薄膜的表征手段 | 第25-29页 |
2.3.1 X-射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
2.3.2 拉曼光谱(Raman)及傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第26页 |
2.3.3 反射-吸收光谱 | 第26-27页 |
2.3.4 原子力显微镜(AFM)及扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
2.3.5 X 射线光电子能谱仪(XPS) | 第27-29页 |
参考文献 | 第29-31页 |
第三章 实验条件对氮化铝薄膜择优取向的影响 | 第31-66页 |
3.1 脉冲激光能量对氮化铝薄膜的影响 | 第31-54页 |
3.1.1 XRD 分析 | 第31-36页 |
3.1.2 Raman 和FTIR 光谱分析 | 第36-40页 |
3.1.3 AlN 薄膜的反射-吸收光谱 | 第40-45页 |
3.1.4 X 射线光电子能谱仪(XPS)分析 | 第45-50页 |
3.1.5 原子力显微镜(AFM)及扫描电子显微镜(SEM) | 第50-54页 |
3.2 衬底温度对氮化铝薄膜的影响 | 第54-58页 |
3.2.1 在p-Si 衬底上沉积AlN 薄膜 | 第55-57页 |
3.2.2 在石英(SiO_2)及兰宝石(Al_2O_3)衬底上沉积 AlN 薄膜研究 | 第57-58页 |
3.3 N_2 偏压对氮化铝薄膜的影响 | 第58-60页 |
本章小节 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
第四章 总结 | 第66-68页 |
硕士期间申请专利及完成和发表的论文 | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |