| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 二维材料简介 | 第16-19页 |
| 1.1.1 石墨烯基本特性 | 第16-17页 |
| 1.1.2 MoS_2的基本特性 | 第17-18页 |
| 1.1.3 黑磷的基本特性 | 第18-19页 |
| 1.2 二维材料性质的调控方法 | 第19-22页 |
| 1.2.1 电场调控 | 第19-20页 |
| 1.2.2 应力调控 | 第20-21页 |
| 1.2.3 掺杂调控 | 第21-22页 |
| 1.2.4 空位调控 | 第22页 |
| 1.3 二维异质结 | 第22-24页 |
| 1.4 半导体与金属异质结界面肖特基势垒 | 第24-26页 |
| 1.5 本论文研究工作的意义、目的和内容 | 第26-28页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第28-35页 |
| 2.1 绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.2 哈特利-福克近似 | 第29-31页 |
| 2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第31页 |
| 2.4 Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第32-33页 |
| 2.6 杂化泛函HSE06 | 第33页 |
| 2.7 vdW修正 | 第33-34页 |
| 2.8 VASP程序包介绍 | 第34-35页 |
| 第3章 金属-MoS_2异质结界面肖特基势垒的调控 | 第35-44页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第36-38页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第38-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 应力对黑磷-石墨烯范德瓦尔兹异质结界面肖特基势垒的调控 | 第44-56页 |
| 4.1 引言 | 第44-46页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第46-47页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第47-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 界面耦合作用对MoS_2/Graphene异质结界面的调控 | 第56-65页 |
| 5.1 引言 | 第56-57页 |
| 5.2 计算方法和模型 | 第57-58页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第58-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第6章 界面对SrRuO_3/MoS_2异质结界面的影响 | 第65-74页 |
| 6.1 引言 | 第65-66页 |
| 6.2 计算方法和模型 | 第66-67页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第67-73页 |
| 6.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第7章 六方氮化硼绝缘层绝缘层对二硫化钼/石墨烯异质结界面的调控 | 第74-89页 |
| 7.1 引言 | 第74-76页 |
| 7.2 计算方法和模型 | 第76-77页 |
| 7.3 结果和讨论 | 第77-88页 |
| 7.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 结论与展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-112页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表和提交的学术论文目录 | 第112-114页 |
| 附录B 攻读学位期间参加的科研项目 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
