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ZnIn2S4半导体光催化剂的制备及性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
绪论第8-9页
1 文献综述第9-19页
    1.1 半导体光催化材料的研究第9-13页
        1.1.1 半导体光催化材料的发展历程第9页
        1.1.2 半导体光催化作用机理第9-11页
        1.1.3 TiO_2基光催化材料近年的研究动态第11页
        1.1.4 TiO_2基光催化材料的应用前景及现状第11-13页
    1.2 影响TiO_2光催化活性的主要因素第13-15页
        1.2.1 吸收带隙对光催化活性的影响第14页
        1.2.2 晶型结构对光催化活性的影响第14页
        1.2.3 颗粒大小对光催化活性的影响第14-15页
    1.3 新型光催化材料的研究第15-18页
        1.3.1 TiO_2基光催化技术在实际应用中存在的问题第15页
        1.3.2 ZnIn_2S_4的常用制备方法第15-17页
        1.3.3 ZnIn_2S_4光催化剂的最新研究进展第17-18页
    1.4 论文的选题思路及研究内容第18-19页
2 ZnIn_2S_4的制备第19-25页
    2.1 试剂与仪器第19页
        2.1.1 主要试剂第19页
        2.1.2 主要仪器第19页
    2.2 光催化剂ZnIn_2S_4的制备第19-20页
    2.3 催化剂的表征方法第20页
        2.3.1 X射线粉末衍射(XRD)第20页
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)第20页
        2.3.3 紫外-可见漫反射光谱(DRUV-Vis)第20页
    2.4 催化剂的吸收性能和可见光催化降解甲基橙反应性能第20-25页
        2.4.1 甲基橙水溶液浓度测定方法的确定第21页
        2.4.2 甲基橙溶液浓度与吸光度的标准曲线制定第21-22页
        2.4.3 光催化反应实验装置第22-23页
        2.4.4 甲基橙在催化剂ZnIn_2S_4上的吸附和光催化降解反应第23-25页
3 ZnIn_2S_4的数据结果与光催化性能讨论第25-37页
    3.1 ZnIn_2S_4的数据结果分析第25-33页
        3.1.1 反应时间对ZnIn_2S_4制备的影响第26-27页
        3.1.2 催化剂的反应时间对甲基橙降解效果的影响第27-29页
        3.1.3 反应温度对ZnIn_2S_4制备的影响第29-31页
        3.1.4 催化剂的制备温度对甲基橙降解效果的影响第31-33页
    3.2 ZnIn_2S_4在可见光照射下降解甲基橙性能研究第33-35页
    3.3 光催化剂ZnIn_2S_4降解甲基橙的最高效果第35-37页
4 结论第37-38页
参考文献第38-42页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第42-43页
致谢第43页

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