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非球面CCOS抛光轨迹规划研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-19页
    1.1 课题来源第11页
    1.2 课题的研究背景及意义第11-12页
    1.3 国内外相关技术研究现状第12-16页
        1.3.1 小工具抛光技术发展概况第12-14页
        1.3.2 加工轨迹规划发展现状第14-16页
    1.4 论文的主要内容第16-19页
第2章 抛光去除机理与抛光轨迹评价第19-27页
    2.1 CCOS 加工流程第19-20页
    2.2 CCOS 控制原理第20-21页
        2.2.1 Preston 假设第20页
        2.2.2 材料去除数学模型第20-21页
    2.3 引入去除区域分布的轨迹评价第21-22页
    2.4 抛光点去除区域计算第22-26页
        2.4.1 赫兹接触理论的应用第22-23页
        2.4.2 去除区域计算第23-26页
    2.5 本章小结第26-27页
第3章 回转对称非球面抛光路径的仿真分析第27-39页
    3.1 非球面上去除区域的仿真建模第27-29页
        3.1.1 主曲率与主方向的求取第27-28页
        3.1.2 去除区域空间位置计算第28-29页
    3.2 阿基米德螺旋线仿真分析第29-35页
        3.2.1 二次非球面第29-33页
        3.2.2 高次非球面第33-35页
    3.3 轨迹间去除区域变化情况的量化第35-37页
        3.3.1 重叠率概念的提出第35-36页
        3.3.2 重叠率变化的影响第36-37页
    3.4 本章小结第37-39页
第4章 回转对称非球面的等重叠率螺旋线轨迹规划第39-57页
    4.1 等重叠率螺旋线的生成第39-42页
        4.1.1 螺旋线行距控制第39-40页
        4.1.2 速度变化函数的求取第40-41页
        4.1.3 加工轨迹的迭代生成第41-42页
    4.2 等重叠率螺旋线仿真分析第42-47页
        4.2.1 二次非球面第42-45页
        4.2.2 高次非球面第45-47页
    4.3 重叠率变化分析第47-52页
        4.3.1 重叠率变化影响因素第47-48页
        4.3.2 投影行距变化分析第48-49页
        4.3.3 弹性接触变化分析第49-52页
    4.4 螺旋线轨迹类型选用第52-53页
    4.5 仅考虑投影行距变化算法第53-55页
    4.6 本章小结第55-57页
第5章 光学自由曲面的抛光轨迹规划第57-75页
    5.1 三反镜与抛光机床的介绍与分析第57-61页
        5.1.1 离轴三反镜模型构建第57-58页
        5.1.2 三反镜面形特点分析第58-60页
        5.1.3 加工机床与路径类型选择第60-61页
    5.2 常用轨迹行距变化研究第61-64页
        5.2.1 行距变化简化预估方法第61-62页
        5.2.2 常用轨迹行距变化情况第62-64页
    5.3 相近回转对称曲面求取第64-68页
        5.3.1 回转母线的确定第65-66页
        5.3.2 最佳回转中心的确定第66-67页
        5.3.3 拟合结果第67-68页
    5.4 基于相近回转对称曲面的轨迹优化方法第68-73页
        5.4.1 螺旋线轨迹优化第68-70页
        5.4.2 同心圆轨迹的优化第70-73页
    5.5 三反镜加工轨迹的确定与实验第73-74页
    5.6 本章小结第74-75页
第6章 结论与展望第75-77页
参考文献第77-82页
攻读硕士期间发表学术论文情况第82-83页
致谢第83页

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