| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 本论文的研究背景 | 第15页 |
| 1.2 高k材料在SiC MOS器件中的应用及存在的问题 | 第15-17页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 SiC MOS电容特性及漏电机理 | 第19-33页 |
| 2.1 SiC MOS电容特性分析 | 第19-25页 |
| 2.1.1 SiC MOS电容的C-V特性 | 第19-20页 |
| 2.1.2 MOS系统中电荷的构成 | 第20-22页 |
| 2.1.3 界面态密度Dit的计算 | 第22-23页 |
| 2.1.4 SiC MOS的平带电容及平带电压的计算 | 第23-25页 |
| 2.2 栅介质材料的表征方法 | 第25-27页 |
| 2.2.1 光谱椭偏仪 | 第25-26页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第27页 |
| 2.2.4 X射线光电子谱 | 第27页 |
| 2.3 SiC MOS电容栅漏电机理研究 | 第27-32页 |
| 2.3.1 堆垛栅介质的电场分布[25] | 第27-29页 |
| 2.3.2 SiC MOS电容栅漏电流机理 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 4H-SiC MOS电容的制备及结构特性测试 | 第33-47页 |
| 3.1 实验 | 第33-35页 |
| 3.2 椭偏仪测试结果分析 | 第35-36页 |
| 3.3 原子力显微镜测试结果分析 | 第36-37页 |
| 3.4 TEM测试结果分析 | 第37页 |
| 3.5 XPS测试及结果分析 | 第37-44页 |
| 3.5.1 堆垛介质及界面XPS分析 | 第37-42页 |
| 3.5.2 高k栅介质/SiC带偏分析 | 第42-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 4H-SiC MOS电容的电学特性测试 | 第47-65页 |
| 4.1 汞探针C-V测试 | 第47-52页 |
| 4.1.1 SiO_2/SiC汞探针C-V测试 | 第47-49页 |
| 4.1.2 La_2O_3/SiO_2/SiC汞探针C-V测试 | 第49-52页 |
| 4.2 La_2O_3/SiO_2/SiC电容C-V测试及分析 | 第52-55页 |
| 4.3 La_2O_3/SiO_2/SiC电容I-V测试及分析 | 第55-64页 |
| 4.3.1 La_2O_3/SiO_2/SiC漏电分析 | 第55-59页 |
| 4.3.2 堆垛栅介质漏电机理 | 第59-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-69页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
