| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 III族氮化物材料的基本性质 | 第11-16页 |
| 1.2.1 结构和物理特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 极化特性 | 第12-16页 |
| 1.3 III族氮化物材料的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.3.1 GaN基材料的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3.2 极化诱导隧穿结的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的选题和研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 生长方法及测试技术 | 第21-33页 |
| 2.1 生长方法 | 第21-27页 |
| 2.1.1 MOCVD的生长原理和生长过程 | 第21-22页 |
| 2.1.2 MOCVD生长设备 | 第22-27页 |
| 2.2 测试技术 | 第27-33页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第27页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第27-29页 |
| 2.2.3 霍尔（Hall） | 第29-31页 |
| 2.2.4 光致发光（PL） | 第31-32页 |
| 2.2.5 电致发光（EL） | 第32-33页 |
| 第3章p-GaN单晶薄膜的生长和优化 | 第33-44页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 p-GaN薄膜生长条件的简介 | 第33页 |
| 3.3 生长温度对p-GaN薄膜特性的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 生长温度对p-Ga N结晶特性的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.2 生长温度对p-Ga N电学特性的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 Mg源流量对p-GaN薄膜特性的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.1 Mg源流量对p-GaN结晶特性的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.2 Mg源流量对p-GaN电学特性的影响 | 第39页 |
| 3.5 退火温度对p-GaN薄膜特性的影响 | 第39-43页 |
| 3.5.1 退火温度对p-Ga N结晶特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.5.2 退火温度对p-Ga N电学特性的影响 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 极化诱导隧穿结的制备与研究 | 第44-55页 |
| 4.1 引言 | 第44-49页 |
| 4.2 器件的制备流程 | 第49-51页 |
| 4.3 极化层厚度对PITJ特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.1 极化层厚度对PITJ晶体结构的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 极化层厚度对PITJ电学特性的影响 | 第52页 |
| 4.4 极化层组分对PITJ特性的影响 | 第52-54页 |
| 4.4.1 极化层组分对PITJ晶体结构的影响 | 第53-54页 |
| 4.4.2 极化层组分对PITJ电学特性的影响 | 第54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 PITJ n-ZnO/p-GaN异质结LED的制备与研究 | 第55-63页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 器件的制备流程 | 第55-57页 |
| 5.3 n-Zn O NRs的材料特性研究 | 第57-58页 |
| 5.4 器件的电学特性研究 | 第58-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 作者简介及科研成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |