| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 太阳能电池的工作原理 | 第11-12页 |
| 1.3 铜铟镓硒太阳电池 | 第12页 |
| 1.4 Cu(In,Ga)Se_2薄膜材料简介 | 第12-15页 |
| 1.4.1 Cu(In,Ga)Se_2薄膜材料的发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4.2 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的结构 | 第13-14页 |
| 1.4.3 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的光学性质 | 第14页 |
| 1.4.4 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的电学性质 | 第14-15页 |
| 1.5 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| 1.5.1 多源共蒸发法 | 第15-16页 |
| 1.5.2 溅射法 | 第16-17页 |
| 1.5.3 电沉积法 | 第17页 |
| 1.5.4 涂覆法 | 第17-19页 |
| 第二章 研究内容及实验设备 | 第19-22页 |
| 2.1 研究内容 | 第19-20页 |
| 2.2 实验药品 | 第20页 |
| 2.3 实验仪器 | 第20-22页 |
| 第三章 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的制备及性能表征 | 第22-44页 |
| 3.1 实验方法 | 第22-24页 |
| 3.1.1 衬底清洗 | 第22-23页 |
| 3.1.2 薄膜制备 | 第23-24页 |
| 3.2 料浆粒度随静置时间的团聚规律 | 第24-25页 |
| 3.3 不同In/Ga比对CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的性能影响 | 第25-33页 |
| 3.3.1 CuIn_(1-x)Ga_xSe-2薄膜的成分分析 | 第25-27页 |
| 3.3.2 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的XRD分析 | 第27-30页 |
| 3.3.3 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的表面形貌分析 | 第30-31页 |
| 3.3.4 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2薄膜的光学性质分析 | 第31-33页 |
| 3.4 不同退火理温度对Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜性能的影响 | 第33-41页 |
| 3.4.1 Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜的成分分析 | 第33-35页 |
| 3.4.2 Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜的XRD分析 | 第35-38页 |
| 3.4.3 Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜的表面形貌分析 | 第38-40页 |
| 3.4.4 Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜的光学性质分析 | 第40-41页 |
| 3.5 压制工艺对薄膜表面形貌的影响 | 第41-44页 |
| 第四章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第50页 |
