| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 太赫兹概述 | 第9-10页 |
| 1.1.1 太赫兹波的独特性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 太赫兹波的应用 | 第10页 |
| 1.2 拉曼散射光谱 | 第10-13页 |
| 1.2.1 拉曼散射光谱的原理 | 第11页 |
| 1.2.2 拉曼散射的经典解释 | 第11-12页 |
| 1.2.3 拉曼散射光谱的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13页 |
| 1.4 本文的创新点 | 第13-15页 |
| 第二章 表面增强拉曼散射技术 | 第15-22页 |
| 2.1 表面增强拉曼散射概述 | 第15-19页 |
| 2.1.1 SERS基本原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 SERS电磁增强机理 | 第16-18页 |
| 2.1.3 SERS化学增强机理 | 第18-19页 |
| 2.2 SERS基底的研究 | 第19-21页 |
| 2.2.1 金属SERS基底 | 第19-20页 |
| 2.2.2 半导体SERS基底 | 第20-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 SERS电磁增强的数值模拟研究 | 第22-34页 |
| 3.1 时域有限差分方法 | 第22-30页 |
| 3.1.1 FDTD基本方程 | 第22-26页 |
| 3.1.2 FDTD吸收边界条件 | 第26-28页 |
| 3.1.3 FDTD激励源 | 第28-30页 |
| 3.2 FDTD Solutions软件介绍 | 第30-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 THz波段半导体粒子的SERS研究 | 第34-43页 |
| 4.1 THz波段的半导体材料的特性 | 第34-37页 |
| 4.2 THz波段半导体粒子的SERS效应模型和增强特性 | 第37-42页 |
| 4.2.1 THz波段半导体SERS基底材料的选定 | 第37页 |
| 4.2.2 THz波段InAs微纳粒子的SERS效应 | 第37-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 THz波段半导体粒子SERS应用研究 | 第43-48页 |
| 5.1 一种THz波段半导体材料的SERS基底 | 第43-45页 |
| 5.2 一种THz波段半导体材料的SERS传感探针 | 第45-47页 |
| 5.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
