| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-29页 |
| 1.1 半导体材料 | 第16-18页 |
| 1.2 纳米半导体材料 | 第18-20页 |
| 1.3 铜锌锡硫纳米材料 | 第20-27页 |
| 1.3.1 CZTS纳米材料的合成方法 | 第21-23页 |
| 1.3.2 CZTS纳米材料的应用 | 第23-27页 |
| 1.4 铜锡硫纳米材料 | 第27-28页 |
| 1.5 本论文的研究意义与创新点 | 第28-29页 |
| 第二章 Cu_2ZnSnS_4纳米结构的可控合成与光电性能研究 | 第29-54页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验药品与仪器 | 第30-35页 |
| 2.2.1 材料制备过程中用到药品 | 第30-31页 |
| 2.2.2 材料制备过程中用的仪器 | 第31页 |
| 2.2.3 材料分析表征过程中用到的设备 | 第31-34页 |
| 2.2.4 制备光电器件过程用到的设备 | 第34-35页 |
| 2.3 实验方法 | 第35-36页 |
| 2.3.1 六方相CZTS纳米材料的制备方法 | 第35页 |
| 2.3.2 通过调控pH值改变产物晶相 | 第35-36页 |
| 2.4 实验结果分析表征 | 第36-48页 |
| 2.4.1 Cu_2O自牺牲模板与Cu_(2-x)S纳米盒子的表征 | 第36-38页 |
| 2.4.2 六方相CZTS纳米材料的表征 | 第38-43页 |
| 2.4.3 晶相调控结果的表征 | 第43-46页 |
| 2.4.4 六方相CZTS纳米晶退火处理后的表征 | 第46-48页 |
| 2.5 光学性能与光电性能研究 | 第48-53页 |
| 2.5.1 光学性能研究 | 第48-50页 |
| 2.5.2 光电性能研究 | 第50-51页 |
| 2.5.3 光电化学性能研究 | 第51-53页 |
| 2.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 Cu_2SnS_3纳米盒子的可控合成与光电性能研究 | 第54-61页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 实验过程中用到的药品与仪器 | 第54页 |
| 3.2.1 实验过程中用到的药品 | 第54页 |
| 3.2.2 实验过程中用到的仪器设备 | 第54页 |
| 3.2.3 表征过程中用到的仪器设备 | 第54页 |
| 3.3 六方相CTS纳米盒子的制备 | 第54-55页 |
| 3.4 实验结果分析表征 | 第55-58页 |
| 3.5 光学性能与光电化学性能研究 | 第58-60页 |
| 3.5.1 光学性能研究 | 第58-59页 |
| 3.5.2 光电化学性能研究 | 第59-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 结论与展望 | 第61-62页 |
| 4.1 结论 | 第61页 |
| 4.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 攻读硕士期间的学术活动及成果清单 | 第71页 |
