| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 电磁脉冲武器的国内外发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 电磁脉冲耦合效应研究的发展现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 2 电磁脉冲对电子电路耦合作用机理 | 第13-20页 |
| 2.1 电磁脉冲对电子电路的作用途径 | 第13-14页 |
| 2.2 电磁脉冲破坏电子设备性能的物理基础 | 第14-15页 |
| 2.3 电磁脉冲损伤半导体器件的物理机理 | 第15-17页 |
| 2.4 典型器件主要失效机理分析 | 第17-19页 |
| 2.4.1 结型半导体 | 第17-18页 |
| 2.4.2 金属氧化物半导体器件 | 第18-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 3 太阳电池阵基本原理及参数 | 第20-27页 |
| 3.1 太阳电池的基本原理 | 第20-23页 |
| 3.1.1 太阳电池的工作原理 | 第20-21页 |
| 3.1.2 太阳电池的结构 | 第21-22页 |
| 3.1.3 太阳电池转换效率的影响因素 | 第22-23页 |
| 3.2 太阳电池特性参数 | 第23-25页 |
| 3.3 太阳辐射光谱及太阳常数 | 第25-26页 |
| 3.3.1 太阳辐射光谱 | 第25页 |
| 3.3.2 太阳常数 | 第25-26页 |
| 3.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 4 电磁脉冲与太阳电池阵耦合效应仿真分析 | 第27-40页 |
| 4.1 电磁脉冲与太阳电池阵耦合感应场强 | 第27-33页 |
| 4.2 电磁脉冲与太阳电池阵耦合感应电流 | 第33-37页 |
| 4.3 太阳电池阵电池电路薄弱环节 | 第37-39页 |
| 4.4 总结 | 第39-40页 |
| 5 电磁脉冲对太阳电池的损伤效应 | 第40-59页 |
| 5.1 Silvaco-TCAD简介 | 第40-43页 |
| 5.1.1 工艺仿真器ATHENA | 第40-41页 |
| 5.1.2 器件仿真器ATLAS | 第41页 |
| 5.1.3 器件-电路混合仿真器MixedMode | 第41-42页 |
| 5.1.4 器件设计流程 | 第42-43页 |
| 5.2 半导体器件的基本电学方程 | 第43-44页 |
| 5.3 半导体器件的基本参数 | 第44-46页 |
| 5.3.1 迁移率和扩散系数 | 第44-45页 |
| 5.3.2 产生率和复合率 | 第45-46页 |
| 5.4 太阳电池器件模型 | 第46-48页 |
| 5.5 电磁脉冲作用下硅太阳电池的损伤效应 | 第48-58页 |
| 5.5.1 输出特性随电压上升时间的变化 | 第48-53页 |
| 5.5.2 输出特性随阶跃电压幅值的变化 | 第53-58页 |
| 5.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 6 MOSFET的电磁脉冲损伤效应 | 第59-74页 |
| 6.1 MOSFET器件热效应分析 | 第59-63页 |
| 6.1.1 热传导方程 | 第59-60页 |
| 6.1.2 等效热路 | 第60-61页 |
| 6.1.3 品格温度与时间之间的关系 | 第61-63页 |
| 6.2 MOSFET器件模型 | 第63-65页 |
| 6.2.1 器件模型 | 第63-64页 |
| 6.2.2 器件特性验证 | 第64-65页 |
| 6.3 电磁脉冲作用下MOSFET的电热仿真 | 第65-70页 |
| 6.3.1 电场强度分布随时间变化情况 | 第66-67页 |
| 6.3.2 电流密度分布随时间变化情况 | 第67-68页 |
| 6.3.3 温度分布随时间变化情况 | 第68-70页 |
| 6.4 MOSFET的电磁脉冲损伤规律分析 | 第70-72页 |
| 6.4.1 不同上升时间阶跃电压下器件的损伤 | 第70-71页 |
| 6.4.2 不同幅值阶跃电压下器件的损伤 | 第71-72页 |
| 6.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 7 总结与展望 | 第74-76页 |
| 7.1 总结 | 第74-75页 |
| 7.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 附录A | 第81-82页 |
| 附录B | 第82-84页 |