| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·本课题研究意义 | 第11-12页 |
| ·无机光电倍增概述 | 第12-16页 |
| ·有机光电倍增研究进展 | 第16-29页 |
| ·聚合物基光电倍增器件 | 第16-20页 |
| ·纳米无机颗粒辅助聚合物半导体基光电倍增器件 | 第20-21页 |
| ·有机小分子基光电倍增器件 | 第21-29页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 C60基光电探测器的制备和性能表征 | 第30-43页 |
| ·光电探测器的性能参数 | 第30-33页 |
| ·可探测光谱范围 | 第30页 |
| ·量子效率 | 第30-31页 |
| ·光谱响应率 | 第31页 |
| ·噪声 | 第31-32页 |
| ·探测率 | 第32页 |
| ·响应时间 | 第32页 |
| ·光暗电流之比 | 第32-33页 |
| ·C60基光电探测器的制备 | 第33-34页 |
| ·C60基光电探测器的结构 | 第33页 |
| ·C60基光电探测器的制作流程 | 第33-34页 |
| ·C60基光电探测器的性能表征 | 第34-40页 |
| ·器件的外量子效率(EQE) | 第34-35页 |
| ·器件的响应时间 | 第35-36页 |
| ·器件的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第36-37页 |
| ·最佳C60基光电探测器的性能 | 第37-40页 |
| ·C60基光电探测器的运行机理 | 第40-43页 |
| 第三章 C60基光电探测器光电倍增机制研究 | 第43-56页 |
| ·器件活性层厚度对器件性能的影响 | 第43-46页 |
| ·不同功函的电极对器件性能的影响 | 第46-49页 |
| ·在器件界面处插入P3HT薄层对器件性能的影响 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 C60基光电探测器关键制备工艺研究 | 第56-64页 |
| ·ITO修饰层的退火处理 | 第56-58页 |
| ·C60蒸发沉积速率的快慢及稳定性 | 第58-60页 |
| ·高导PEDOT：PSS与低导PEDOT：PSS的选择 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第74页 |