掺杂A1xGa1-xN半导体光、电性能的理论研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 引言 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·GaN系材料的研究背景 | 第9-10页 |
| ·GaN系材料的结构与性质 | 第10-12页 |
| ·GaN、AlN材料的结构 | 第10页 |
| ·GaN、AlN材料的性质 | 第10-11页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N半导体合金 | 第11-12页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N的研究现状 | 第12-14页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N半导体的研究进展 | 第12-13页 |
| ·Al_xGa(1-x)N半导体的应用 | 第13-14页 |
| ·本文研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 第一性原理理论研究方法 | 第15-21页 |
| ·第一性原理简介 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-19页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham(沈吕九)方程 | 第17-18页 |
| ·交换关联能量 | 第18-19页 |
| ·CASTEP软件介绍 | 第19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 AlxGa1-xN材料的理论研究 | 第21-35页 |
| ·理论模型 | 第21-22页 |
| ·计算方法 | 第22-23页 |
| ·结果分析 | 第23-33页 |
| ·晶格常数 | 第23-24页 |
| ·能带和态密度 | 第24-27页 |
| ·光学性质 | 第27-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 掺杂AlxGa1-xN的第一性原理计算 | 第35-67页 |
| ·Mg掺杂Al_xGa_(1-x)N的理论研究 | 第36-46页 |
| ·理论模型 | 第36-37页 |
| ·计算方法 | 第37页 |
| ·结果分析 | 第37-46页 |
| ·Zn掺杂Al_xGa_(1-x)N的理论研究 | 第46-55页 |
| ·理论模型 | 第46-47页 |
| ·计算方法 | 第47页 |
| ·结果分析 | 第47-55页 |
| ·Si掺杂Al_xGa_(1-x)N的理论研究 | 第55-64页 |
| ·理论模型 | 第55-56页 |
| ·计算方法 | 第56页 |
| ·结果分析 | 第56-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
