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新型半导体材料特性的光学检测技术研究

致谢第1-5页
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-12页
第1章 绪论第12-27页
   ·课题研究背景第12-13页
   ·半导体材料的载流子复合和扩散第13-18页
     ·载流子体复合第13-15页
     ·表面复合第15-16页
     ·载流子扩散第16-17页
     ·载流子有效寿命第17-18页
   ·半导体材料特性的检测技术第18-25页
     ·传统的光电检测技术第19-20页
     ·基于光声光热效应的检测技术第20-22页
     ·光载流子辐射检测技术发展现状第22-24页
     ·自由载流子吸收检测技术发展现状第24-25页
   ·本论文主要研究内容第25-27页
第2章 准时域光生载流子辐射和自由载流子吸收检测技术第27-36页
   ·引言第27页
   ·光载流子辐射和调制自由载流子吸收模型第27-30页
     ·载流子产生复合的线性机制第28-29页
     ·PCR 和 MFCA 信号第29-30页
   ·准时域 PCR 和 MFCA 检测技术第30-36页
     ·频域到准时域的理论模型第30-32页
     ·PCR 和 MFCA 联合实验系统第32-33页
     ·准时域 PCR 和 MFCA 信号验证分析第33-36页
   ·本章小结第36页
第3章 光生载流子辐射技术对离子注入退火样品的研究第36-53页
   ·引言第36-37页
   ·不同探测深度的线性准时域光生载流子技术第37-41页
     ·准时域 PCR 的测量第37-39页
     ·样品设计及不同深度 PCR 测量第39-41页
   ·PCR 技术在离子注入退火样品中的应用第41-52页
     ·PCR 频率扫描曲线和准时域曲线的对应关系第41-44页
     ·830nm 激发下不同剂量 B~+、P~+和 As~+离子注入样品的综合分析第44-45页
     ·830nm 激发下 B~+、P~+和 As~+离子不同注入能量样品的综合分析第45-47页
     ·830nm 激发下 As~+离子注入不同退火温度样品的综合分析第47-49页
     ·405nm 激发下不同剂量 B~+、P~+和 As~+离子注入样品的综合分析第49-51页
     ·405nm 激发下 B~+、P~+和 As~+离子不同注入能量样品的综合分析第51-52页
   ·本章小结第52-53页
第4章 新型半导体材料特性的光生载流子辐射检测第53-67页
   ·引言第53-54页
   ·前后表面收集的 PCR 信号成份分析实验系统第54-55页
   ·超浅结(USJ)样品的光学检测第55-61页
     ·超浅结样品的 PL 测量第56-57页
     ·硅材料基底的带边吸收曲线计算第57-59页
     ·超浅结样品的 PCR 测量第59-61页
   ·绝缘上硅(SOI)样品的光学检测第61-66页
     ·绝缘上硅样品的 PL 测量第61-65页
     ·绝缘上硅样品的 PCR 测量第65-66页
   ·本章小结第66-67页
第5章 三维时域自由载流子吸收检测技术第67-82页
   ·引言第67页
   ·三维时域自由载流子吸收模型第67-74页
     ·三维时域光生载流子密度方程推导第68-71页
     ·无限方波脉冲调制的初值问题第71-72页
     ·三维时域自由载流子吸收模型第72-74页
   ·三维时域自由载流子吸收模型仿真第74-77页
     ·载流子寿命对-S_(MFCA)信号的影响第74-75页
     ·载流子扩散系数对-S_(MFCA)信号的影响第75-76页
     ·前表面复合速度对-S_(MFCA)信号的影响第76页
     ·激发光和探测光束腰半径对-S_(MFCA)信号的影响第76-77页
   ·三维时域自由载流子吸收模型测量不同电阻率样品第77-80页
     ·不同电阻率样品测量第77-78页
     ·测量结果及分析第78-80页
   ·本章小结第80-82页
第6章 总结和展望第82-85页
   ·论文主要工作第82-83页
   ·论文创新点第83页
   ·存在问题第83-84页
   ·对后续工作的建议第84-85页
参考文献第85-93页
附录 A 三维时域自由载流子吸收模型的系数表达式第93-95页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第95页

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