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有机半导体载流子迁移率的密度泛函研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-18页
   ·有机半导体的基本概念第9-15页
     ·有机半导体材料的发展第10-11页
     ·有机半导体材料的分类第11-13页
     ·有机半导体材料的优点及应用第13-15页
   ·载流子迁移率的简介第15-16页
   ·CO_2催化的简介及机理研究第16-17页
   ·课题选择的意义及研究内容第17-18页
2 理论基础第18-33页
   ·密度泛函理论(DFT)的简介第18-23页
     ·Hohenberg-Kohn定理第19-21页
     ·Kohn-Sham方程第21-23页
   ·载流子迁移的理论模型第23-31页
     ·载流子迁移机制第23-25页
     ·电子耦合第25-27页
     ·电子-声子相互作用第27-29页
     ·载流子迁移率公式第29-31页
   ·过渡态理论第31-33页
     ·过渡态理论(TST)的简介第31-32页
     ·振动频率计算方法第32-33页
3 有机半导体材料载流子迁移率的计算第33-41页
   ·研究背景第33-34页
   ·计算方法第34页
   ·C_8-BTBT,C_(10)-BTBT,C_(12)-BTBT载流子迁移率的计算结果第34-40页
   ·重组能的修正第40-41页
4 CO_2催化反应机理的理论计算第41-46页
   ·研究背景第41-42页
   ·计算方法第42页
   ·反应机理及反应能垒第42-46页
结论第46-47页
参考文献第47-56页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第56-57页
致谢第57-58页

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