| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·ZnO薄膜的基本特性和制备方法 | 第10-15页 |
| ·ZnO薄膜的基本特性 | 第10-12页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第12-13页 |
| ·ZnO薄膜的常用的制备方法 | 第13-15页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第15-19页 |
| ·ZnO薄膜的n型掺杂 | 第16页 |
| ·ZnO薄膜的p型掺杂及研究进展 | 第16-19页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 化学气相沉积ZnO:N薄膜的原理及实验步骤 | 第20-27页 |
| ·化学气相沉积(CVD)原理与技术 | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积实验装置 | 第21-22页 |
| ·化学气相沉积所用固相源 | 第22-23页 |
| ·衬底的预处理 | 第23-24页 |
| ·制备ZnO:N薄膜的实验过程 | 第24-27页 |
| 第三章 以NH_3为掺杂气体制备掺N的ZnO薄膜 | 第27-49页 |
| ·源加热温度对薄膜性能的影响 | 第27-36页 |
| ·不同源加热温度下薄膜结构特性 | 第28-30页 |
| ·不同源加热温度下薄膜光学特性 | 第30-36页 |
| ·NH_3流量对薄膜性能的影响 | 第36-43页 |
| ·不同NH_3流量下薄膜结构特性 | 第36页 |
| ·不同NH_3流量下薄膜表面形貌 | 第36-38页 |
| ·不同NH_3流量下薄膜电学特性 | 第38-41页 |
| ·不同NH_3流量下薄膜光学特性 | 第41-43页 |
| ·掺N的ZnO薄膜结果讨论 | 第43-48页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第43-44页 |
| ·掺杂ZnO薄膜的结果分析 | 第44-48页 |
| ·本章小节 | 第48-49页 |
| 第四章 以ZnNO_3为掺杂源制备掺N的ZnO薄膜 | 第49-62页 |
| ·衬底温度对薄膜的影响 | 第49-58页 |
| ·不同衬底温度下薄膜结构特性和表面形貌 | 第50-52页 |
| ·不同衬底温度下薄膜电学特性 | 第52-56页 |
| ·不同基片温度下薄膜光学特性 | 第56-58页 |
| ·退火温度对薄膜的影响 | 第58-60页 |
| ·不同退火温度下薄膜结构特性 | 第58-59页 |
| ·不同退火温度下薄膜光学特性 | 第59-60页 |
| ·本章小节 | 第60-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 作者攻硕期间取得的成果 | 第69页 |