| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 概述 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料的研究现状 | 第11-16页 |
| ·AlN薄膜的研究现状 | 第11-14页 |
| ·GaN薄膜的研究现状 | 第14-16页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜制备和结构、性能表征方法和原理 | 第20-34页 |
| ·激光分子束外延沉积(L-MBE) | 第20-28页 |
| ·L-MBE设备简介 | 第20-21页 |
| ·L-MBE的沉积过程和特点 | 第21-22页 |
| ·原位的反射高能电子衍射(RHEED) | 第22-28页 |
| ·反射高能电子衍射的原理 | 第22-23页 |
| ·反射高能电子衍射的特点 | 第23-24页 |
| ·反射高能电子衍射的条纹间距 | 第24-27页 |
| ·反射高能电子衍射的应用 | 第27-28页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-31页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31页 |
| ·薄膜的光学性能分析方法 | 第31-34页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第31-32页 |
| ·透光和吸收率分析 | 第32-34页 |
| 第三章 蓝宝石Al_2O_3衬底上六方AlN薄膜的生长研究 | 第34-47页 |
| ·实验 | 第34-35页 |
| ·工艺参数对AlN/Al_2O_3薄膜的结构和性能的影响 | 第35-44页 |
| ·生长温度对AlN/Al_2O_3薄膜的结构影响 | 第35-38页 |
| ·生长温度对AlN/Al_2O_3薄膜的性能影响 | 第38-40页 |
| ·光致发光(PL)谱分析 | 第38-39页 |
| ·透射光谱(TR)分析 | 第39-40页 |
| ·脉冲激光能量对AlN薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| ·脉冲激光频率对AlN薄膜结构的影响 | 第42-44页 |
| ·Al_2O_3基片上AlN外延薄膜的微结构分析 | 第44-46页 |
| ·本章总结 | 第46-47页 |
| 第四章 SrTiO_3衬底上立方AlN薄膜的生长研究 | 第47-58页 |
| ·实验 | 第47页 |
| ·工艺参数对AlN/STO薄膜的结构影响 | 第47-54页 |
| ·生长温度对AlN/STO薄膜的影响 | 第47-50页 |
| ·N_2压对AlN/STO薄膜的影响 | 第50-52页 |
| ·脉冲激光能量对AlN/STO薄膜的影响 | 第52-54页 |
| ·AlN薄膜表面组成分析 | 第54-55页 |
| ·STO衬底上AlN外延薄膜的微结构分析 | 第55-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 第五章 AlN缓冲层对GaN薄膜的诱导生长研究 | 第58-64页 |
| ·GaN陶瓷靶材的制备 | 第58-59页 |
| ·AlN缓冲层诱导GaN薄膜的生长研究 | 第59-63页 |
| ·本章总结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第71页 |
