| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 概述 | 第11-26页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·磁性半导体的研究概况 | 第12-19页 |
| ·稀磁半导体的基本概念 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体的性质 | 第13-15页 |
| ·稀磁半导体中的交换相互作用 | 第15-17页 |
| ·稀磁半导体的磁性起源 | 第17-18页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第18-19页 |
| ·纳米材料及其研究进展 | 第19-22页 |
| ·我们的研究动机和意义 | 第22页 |
| ·展望 | 第22-23页 |
| 参考文献: | 第23-26页 |
| 第二章 样品的制备和测试 | 第26-36页 |
| ·试样的制备 | 第26-27页 |
| ·样品表征 | 第27-34页 |
| ·X-ray衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)[4-5] | 第28页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SEAD) | 第28-30页 |
| ·振动样品磁强计(Vibrating Sample Magnetometer,VSM)[7] | 第30-33页 |
| ·紫外—可见吸收光谱法[8,9] | 第33-34页 |
| 参考文献: | 第34-36页 |
| 第三章 氧化锡纳米线样品的制备与表征 | 第36-47页 |
| ·SnO_2纳米线样品的制备 | 第36页 |
| ·样品表征 | 第36-40页 |
| ·X-ray衍射研究 | 第36-37页 |
| ·扫描电子显微镜形貌观察 | 第37-38页 |
| ·透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SAED) | 第38-39页 |
| ·紫外—可见光谱研究 | 第39-40页 |
| ·生长条件对SnO纳米线形貌的影响 | 第40-43页 |
| ·SnO纳米线的生长机理 | 第43-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第四章 用化学气相沉积法制备稀磁半导体Co_xSn_(1-x)O_2纳米线样品 | 第47-56页 |
| ·稀磁半导体Co_xSn_(1-x)O_2纳米线样品的制备 | 第47页 |
| ·样品表征 | 第47-54页 |
| ·X-ray衍射研究 | 第47-49页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)与X射线能量色散谱(EDS)研究 | 第49-51页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第51-52页 |
| ·磁性测量 | 第52-54页 |
| ·磁性来源讨论 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
