| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1-1 半导体激光器发展简要回顾 | 第9页 |
| 1-2 大功率半导体激光器的发展现状及应用 | 第9-10页 |
| 1-3 大功率半导体激光器面临的主要问题 | 第10-14页 |
| 1-3-1 发热 | 第10-13页 |
| 1-3-2 光束质量 | 第13-14页 |
| 1-3-3 发光效率 | 第14页 |
| 1-4 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 MOCVD外延技术 | 第16-24页 |
| 2-1 MOCVD外延生长技术介绍 | 第16-18页 |
| 2-1-1 MOCVD的工作原理 | 第16-17页 |
| 2-1-2 MOCVD的分类 | 第17页 |
| 2-1-3 MOCVD外延生长方法的优缺点 | 第17-18页 |
| 2-2 MOCVD设备简介 | 第18-20页 |
| 2-2-1 MOCVD设备系统 | 第18-19页 |
| 2-2-2 气体源供给系统 | 第19页 |
| 2-2-3 反应室和加热系统 | 第19-20页 |
| 2-2-4 尾气处理系统 | 第20页 |
| 2-2-5 微机自控及系统安全保护报警系统 | 第20页 |
| 2-2-6 测漏装置 | 第20页 |
| 2-3 MOCVD外延需注意的问题 | 第20-22页 |
| 2-4 外延材料参数的测试技术 | 第22-24页 |
| 第三章 隧道结特性分析 | 第24-34页 |
| 3-1 隧道结特性分析 | 第24-29页 |
| 3-1-1 电学特性分析 | 第24-26页 |
| 3-1-2 热学特性分析 | 第26-27页 |
| 3-1-3 光学特性分析 | 第27-29页 |
| 3-2 MOCVD生长的掺杂技术 | 第29-34页 |
| 3-2-1 GaAs材料的p型掺杂 | 第29-31页 |
| 3-2-2 GaAS材料的n型掺杂 | 第31-34页 |
| 第四章 隧道级联多有源区大功率半导体激光器研制 | 第34-44页 |
| 4-1 隧道级联多有源区大功率半导体激光器工作机理及特点 | 第34-35页 |
| 4-2 隧道级联多有源区大功率半导体激光器工作特性分析 | 第35-37页 |
| 4-2-1 新型结构激光器阈值增益 | 第35-36页 |
| 4-2-2 外微分量子效率 | 第36-37页 |
| 4-2-3 功率转换效率 | 第37页 |
| 4-3 单元量子阱激光器设计 | 第37-40页 |
| 4-3-1 激光器波长的选择 | 第37-38页 |
| 4-3-2 单元激光器结构的设计 | 第38-40页 |
| 4-4 双有源区级联结构激光器设计 | 第40-44页 |
| 4-4-1 外延结构优化 | 第40-42页 |
| 4-4-2 扩展电流的限制 | 第42-44页 |
| 第五章 器件制备及测试结果分析 | 第44-47页 |
| 5-1 外延生长及工艺制备 | 第44页 |
| 5-2 器件测试结果分析 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51页 |