| 第一章 概述 | 第1-18页 |
| 1．1 电磁兼容的概念 | 第10-11页 |
| 1．2 电磁骚扰 | 第11-14页 |
| 1．2．1 电磁骚扰源 | 第11-13页 |
| 1．2．2 电磁骚扰的耦合方式 | 第13页 |
| 1．2．3 电磁骚扰模式 | 第13-14页 |
| 1．3 电磁兼容预测软件 | 第14-15页 |
| 1．4 电磁兼容预测中的主要算法 | 第15-16页 |
| 1．5 研究工作的意义 | 第16页 |
| 1．6 研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 FDTD方法 | 第18-27页 |
| 2．1 基本原理与方程 | 第18-22页 |
| 2．2 FDTD方法的数值稳定性 | 第22页 |
| 2．3 吸收边界条件 | 第22-23页 |
| 2．4 激励源的类型 | 第23-25页 |
| 2．4．1 时谐场源 | 第24页 |
| 2．4．2 脉冲源 | 第24-25页 |
| 2．5 时域有限差分方法的应用 | 第25-26页 |
| 2．6 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 电磁辐射对微带线干扰的仿真模拟 | 第27-58页 |
| 3．1 微带线的计算 | 第27-35页 |
| 3．1．1 微带线的相关参量计算 | 第27-29页 |
| 3．1．2 微带线模型的建立和参数的设置 | 第29-31页 |
| 3．1．3 激励设置技术 | 第31-33页 |
| 3．1．4 微带线模型端口设置技术 | 第33-34页 |
| 3．1．5 吸收边界的选择 | 第34页 |
| 3．1．6 模型有效性的验证 | 第34-35页 |
| 3．2 不同角度入射的正弦平面波对微带线干扰的仿真 | 第35-41页 |
| 3．3 高斯脉冲平面波激励对微带线干扰的模拟 | 第41-50页 |
| 3．4 高斯脉冲对双导带微带线干扰的模拟分析 | 第50-58页 |
| 3．4．1 双金属导带微带线模型的建立与参数设置 | 第50-51页 |
| 3．4．2 宽金属导带微带线模型的建立 | 第51-52页 |
| 3．4．3 高斯脉冲对双金属导带微带线干扰的模拟 | 第52-54页 |
| 3．4．4 高斯脉冲对宽导带微带线干扰的模拟 | 第54-55页 |
| 3．4．5 高斯脉冲导带间距变宽的双导带微带线干扰的仿真 | 第55-58页 |
| 第四章 PN结二极管的数值模拟 | 第58-65页 |
| 4．1 研究内容及方法 | 第58-62页 |
| 4．2 模拟结果及分析 | 第62-64页 |
| 4．3 总结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |