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离子束溅射法制备C-N薄膜的研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-7页
物理量名称及符号表第7-11页
第1章 绪论第11-27页
 1.1 理论预言第11-18页
  1.1.1 β-C_3N_4的理论预言第12-15页
  1.1.2 C_3N_4晶体结构的理论预测第15-18页
 1.2 β-C_3N_4制备的实验探索第18-24页
  1.2.1 高温高压合成法第19-20页
  1.2.2 激光烧蚀反应法第20页
  1.2.3 溅射法第20-21页
  1.2.4 等离子体化学气相沉积第21-22页
  1.2.5 离子注入法第22-23页
  1.2.6 有机溶液电解法第23-24页
 1.3 β-C_3N_4的性能与应用前景第24-25页
 1.4 有待解决的问题第25页
 1.5 本课题研究重点第25-27页
第2章 实验装置及方法第27-33页
 2.1 实验装置第27-28页
  2.1.1 溅射装置第27-28页
  2.1.2 法拉第探头第28页
 2.2 实验方法第28-32页
  2.2.1 离子源溅射特性实验第28-30页
  2.2.2 薄膜的制备第30-32页
 2.3 分析方法第32页
  2.3.1 成分分析第32页
  2.3.2 透射电子显微镜分析第32页
  2.3.3 X射线衍射分析第32页
  2.3.4 X射线光电子能谱分析第32页
 2.4 本章小结第32-33页
第3章 离子源溅射特性的研究第33-52页
 3.1 离子源的结构及原理第33-38页
  3.1.1 Kaufman离子源的结构及原理第33-34页
  3.1.2 离子光学系统第34-36页
  3.1.3 离子束流密度第36-38页
  3.1.4 束散角第38页
 3.2 离子束溅射过程第38-39页
 3.3 离子束聚焦性的研究第39-43页
  3.3.1 离子枪的工作参数对离子束聚焦性的影响第39-40页
  3.3.2 溅射气压对离子束聚焦性的影响第40-43页
 3.4 离子束束流密度的研究第43-49页
  3.4.1 阴极电流和阳极电压对束流密度的影响第44-45页
  3.4.2 屏极电压对束流密度的影响第45页
  3.4.3 加速电压对束流密度的影响第45页
  3.4.4 溅射气压对束流密度的影响第45-49页
 3.5 入射角对束流密度的影响第49页
 3.6 本章小结第49-52页
第4章 TiN_y薄膜的研究第52-60页
 4.1 C_3N_4和TiN的晶格匹配性第52-53页
 4.2 TiN_y薄膜的结构分析第53-59页
  4.2.1 离子束能量对TiN_y薄膜结构的影响第54-55页
  4.2.2 离子束束流对TiN_y薄膜结构的影响第55页
  4.2.3 温度对TiN_y薄膜结构的影响第55-59页
 4.3 TiN_y薄膜的成分分析第59页
 4.4 本章小结第59-60页
第5章 CN_x/TiN_y薄膜的研究第60-80页
 5.1 CN_x/TiN_y薄膜的成分分析第60-67页
  5.1.1 入射离子束对薄膜成分的影响第60-64页
  5.1.2 温度对薄膜成分的影响第64-65页
  5.1.3 辅助离子束对薄膜成分的影响第65-67页
 5.2 CN_x/TiN_y薄膜的透射电镜分析第67-75页
 5.3 CN_x/TiN_y薄膜的X射线衍射分析第75-76页
 5.4 CN_x/TiN_y薄膜的价键结构分析第76-79页
 5.5 本章小结第79-80页
结论第80-81页
参考文献第81-87页
攻读硕士学位期间所发表的论文第87-88页
致谢第88页

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