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X处理器中高性能存储部件全定制设计与实现

摘要第1-13页
ABSTRACT第13-14页
第一章 绪论第14-20页
   ·X处理器介绍第14-15页
   ·课题研究背景第15-17页
   ·课题研究内容及意义第17-18页
   ·课题研究主要工作与成果第18页
   ·本文的组织结构第18-20页
第二章 寄存器文件和SRAM全定制设计技术第20-30页
   ·寄存器文件和SRAM设计技术第20-27页
     ·总体结构第20-23页
     ·存储单元第23-24页
     ·预充电路第24-25页
     ·地址转变探测电路第25-26页
     ·灵敏放大器第26页
     ·功耗分析与低功耗技术第26-27页
   ·全定制设计流程及工具第27-29页
     ·全定制设计流程第27-29页
     ·全定制设计工具第29页
   ·本章小结第29-30页
第三章 高速译码器设计第30-41页
   ·译码器结构第30-34页
     ·静态译码器第31-33页
     ·动态译码器第33-34页
   ·高速译码器设计第34-38页
     ·优化反相器链第35-37页
     ·优化译码器关键路径尺寸第37-38页
   ·模拟试验与试验结果第38-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 多端口寄存器文件设计第41-53页
   ·LRF设计要求与设计端口第41页
   ·LRF各个模块结构第41-48页
     ·各个模块功能介绍第42-43页
     ·读写操作时序关系第43页
     ·写译码电路第43-44页
     ·读译码电路第44-45页
     ·位单元第45页
     ·地址比较电路第45-46页
     ·脉冲产生电路第46-47页
     ·灵敏放大器电路第47页
     ·常值单元第47-48页
   ·7读3写寄存器文件CCRF第48-49页
   ·CCRF总体模块划分第49-51页
     ·译码模块第49-50页
     ·存储单元第50页
     ·reset信号的控制第50-51页
     ·地址比较和输出控制第51页
     ·写穿透路径第51页
   ·本章小结第51-53页
第五章 电流模式单端口SRAM设计第53-65页
   ·传统电压模式SRAM第53页
   ·新型电流模式SRAM设计原理第53-56页
     ·电流模式写技术第54-56页
     ·电流模式读技术第56页
   ·版图模拟实验第56-59页
     ·传统电压模式单端口SRAM第57-58页
     ·电流模式单端口SRAM第58页
     ·试验数据对比分析第58-59页
   ·大规模单端口SRAM第59-64页
     ·设计目标和端口说明第59页
     ·模块总体结构第59-60页
     ·地址译码电路第60-63页
     ·读多路选择第63-64页
     ·脉冲产生电路第64页
   ·本章小结第64-65页
第六章 基于存储单元的存储部件版图设计第65-78页
   ·版图设计中晶体管布局方法第65-71页
     ·基本欧拉路径法第65-66页
     ·欧拉路径法第66-68页
     ·拓展的欧拉路径法第68-69页
     ·欧拉路径法在动态电路中的应用第69-70页
     ·晶体管尺寸对版图的影响第70-71页
   ·LRF版图设计第71-72页
     ·总体结构第71-72页
     ·最终版图第72页
     ·模拟结果第72页
   ·电流模式单端口SRAM版图设计第72-76页
     ·总体布局规划第73页
     ·层次化设计第73-74页
     ·基于存储单元的设计策略第74-75页
     ·整体电路版图设计第75-76页
     ·模拟结果第76页
   ·本章小结第76-78页
第七章 结束语与工作展望第78-79页
   ·结束语第78页
   ·工作展望第78-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-83页
作者在学期间取得的学术成果第83-84页
作者在学期间参与科研项目第84页

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