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高可靠8051设计与实现及可靠性评估

摘要第1-13页
ABSTRACT第13-15页
第一章 绪论第15-22页
   ·课题研究背景第15-16页
   ·课题研究现状第16-18页
     ·国外微处理器可靠性设计技术研究和发展概况第16-18页
     ·国内微处理器可靠性设计技术研究和发展概况第18页
   ·课题研究内容第18-20页
     ·课题研究的内容第18-20页
     ·课题研究的难点和创新点第20页
   ·论文结构第20-22页
第二章 单粒子效应及故障注入模拟第22-29页
   ·单粒子效应产生的环境第22-24页
   ·单粒子效应的产生机理第24-25页
     ·单粒子效应分类第24-25页
     ·单粒子翻转机理第25页
   ·单粒子翻转效应对微处理器的影响第25-27页
     ·SEU对时序电路的影响第25-26页
     ·SEU对组合电路的影响第26-27页
     ·SEU对时钟复位网络的影响第27页
   ·单粒子翻转事件的故障注入模拟第27-28页
   ·小结第28-29页
第三章 高可靠性8051设计关键技术研究第29-38页
   ·增强型时空三模冗余技术第29-34页
     ·传统三模冗余的不足第29-30页
     ·时空三模冗余技术原理第30-31页
     ·增强型时空三模冗余技术第31-34页
   ·EDAC检错纠错码第34-35页
   ·安全状态机第35页
   ·Berber码第35-36页
   ·控制流检测技术第36-38页
     ·程序控制流图第37页
     ·基本块签名第37-38页
第四章 HR8051的可靠性增强实现第38-45页
   ·HR8051寄存器的可靠性增强实现第38-40页
     ·增强型时空三模冗余技术的实现过程第38-39页
     ·复位信号第39-40页
   ·控制器可靠性增强实现第40-41页
   ·存储器的可靠性增强实现第41-43页
     ·可配置EDAC编码器/译码器第41页
     ·EDAC编码器/译码器与其它模块的交互第41-43页
   ·ALU可靠性增强实现第43-45页
第五章 RTL级HR8051可靠性评估第45-51页
   ·故障注入环境第45-47页
     ·单粒子翻转事件的特点第45页
     ·故障注入过程第45-47页
   ·故障结果分析第47-51页
     ·故障持续时间对可靠性的影响第47-48页
     ·反馈控制回路依赖关系对可靠性提高的影响第48-49页
     ·单粒子翻转事件对存储器的影响第49页
     ·时钟相位差对可靠性的影响第49-50页
     ·可靠性总体故障注入结果第50-51页
第六章 系统级HR8051可靠性评估初步研究第51-72页
   ·系统级故障评估分析第51-61页
     ·系统级故障统计第51-52页
     ·基于断言的故障统计第52页
     ·System Verilog断言支持第52-54页
     ·串口0电路的系统级故障分析第54-61页
   ·马尔科夫链分析第61-72页
     ·基本可靠性的指标第61页
     ·马尔科夫过程方法第61-63页
     ·Markov链状态转移法的定量分析方法第63-67页
     ·Markov链状态转移法的重要度分析第67-68页
     ·功能单元Markov分析第68-72页
第七章 总结第72-74页
   ·完成的工作第72页
   ·进一步的工作第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-78页
作者在学期间取得的学术成果第78页

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