| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·紫外APD概述 | 第7-8页 |
| ·4H-SiC材料基本特性 | 第8-10页 |
| ·4H-SiC材料的生长与缺陷 | 第8页 |
| ·4H-SiC的电学性质 | 第8-9页 |
| ·4H-SiC材料的光学性质 | 第9页 |
| ·电子漂移速度 | 第9页 |
| ·4H-SiC材料与其它材料APD的对比 | 第9-10页 |
| ·4H-SiC APD研究现状 | 第10-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 紫外探测器的理论基础和光特性研究 | 第13-25页 |
| ·光电探测器原理 | 第13-16页 |
| ·PN紫外光电二极管原理 | 第13页 |
| ·PIN结构紫外探测器原理 | 第13-14页 |
| ·APD的工作原理 | 第14-15页 |
| ·SAM结构原理 | 第15-16页 |
| ·光电探测器的主要参数及指标 | 第16-23页 |
| ·光谱响应 | 第16-17页 |
| ·暗电流 | 第17-18页 |
| ·光电转换效率 | 第18-20页 |
| ·探测器与信噪比 | 第20-21页 |
| ·APD的雪崩倍增噪声 | 第21-22页 |
| ·噪声等效功率（NEP） | 第22页 |
| ·归一化探测率D* | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 SAM-APD结构模型及特性模拟 | 第25-37页 |
| ·SAM-APD的物理模型 | 第25-31页 |
| ·漂移-扩散模型 | 第25-26页 |
| ·迁移率模型 | 第26页 |
| ·复合模型 | 第26-28页 |
| ·不完全离化模型 | 第28-29页 |
| ·光产生模型 | 第29-30页 |
| ·4H-SiC吸收系数 | 第30-31页 |
| ·SAM-APD结构设计 | 第31-32页 |
| ·SAM-APD基本特性的模拟仿真 | 第32-36页 |
| ·暗电流特性及反向伏安特性 | 第32-34页 |
| ·光谱响应 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 SAM-APD紫外探测器各层厚度研究与结构改进 | 第37-48页 |
| ·SAM-APD各层厚度对光电响应度的影响 | 第37-43页 |
| ·SAM-APD各层厚度变化的基本研究 | 第37-40页 |
| ·SAM-APD各外延层厚度对响应度影响的正交分析 | 第40-43页 |
| ·改进型SAM-APD光谱响应的研究 | 第43-44页 |
| ·改进型结构SAM-APD的版图与工艺流程研究 | 第44-47页 |
| ·改进型结构SAM-APD的版图与工艺流程设计 | 第44-45页 |
| ·工艺中存在的问题及改进设想 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结束语 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目、完成的学术论文情况 | 第54-55页 |
