| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·国内外研究状况 | 第9-10页 |
| ·研究意义 | 第10-11页 |
| ·本论文主要研究工作 | 第11-14页 |
| 第二章 LDD MOSFET器件模型 | 第14-24页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·短沟 MOSFET 器件模型 | 第15-18页 |
| ·输出漏电流模型 | 第15-16页 |
| ·饱和电压模型 | 第16页 |
| ·饱和区的沟道长度调制效应 | 第16-17页 |
| ·有效迁移率模型 | 第17-18页 |
| ·LDD MOSFET 器件直流模型 | 第18-23页 |
| ·LDD MOSFET 电流模型 | 第18-19页 |
| ·临界饱和漏电流I_(dsat)分析 | 第19-20页 |
| ·饱和电压系数α的分析 | 第20-21页 |
| ·沟道长度调制参数λ分析 | 第21页 |
| ·LDD MOSFET 器件源漏串联电阻模型 | 第21-23页 |
| ·亚阈区模型 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 LDD MOSFET热载流子物理模型 | 第24-36页 |
| ·LDD MOSFET 热载流子基本概念 | 第24-27页 |
| ·LDD MOSFET 热载流子效应 | 第24页 |
| ·热载流子的产生和注入机制 | 第24-25页 |
| ·在不同偏置下的热载流子效应 | 第25-27页 |
| ·幸运电子和栅电流模型 | 第27-30页 |
| ·衬底电流模型 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 LDD MOSFET热载流子效应研究 | 第36-54页 |
| ·LDD MOSFET 轻掺杂源漏区的模拟分析 | 第36-43页 |
| ·LDD MOSFET 轻掺杂区电场效应研究 | 第36-38页 |
| ·LDD 轻掺杂区结深对器件的影响 | 第38-39页 |
| ·LDD 轻掺杂区浓度对器件的影响 | 第39-42页 |
| ·LDD 横向长度对器件的影响 | 第42-43页 |
| ·LDD MOSFET 器件模拟分析 | 第43-49页 |
| ·LDD MOSFET 沟道长度对器件的影响 | 第43-45页 |
| ·LDD MOSFET 栅氧厚度对器件的影响 | 第45-46页 |
| ·LDD MOSFET 衬底掺杂浓度对器件的影响 | 第46-48页 |
| ·LDD MOSFET 源漏结深对器件的影响 | 第48-49页 |
| ·LDD MOSFET 器件热载流子退化研究 | 第49-52页 |
| ·LDD MOSFET 器件热载流子退化的物理解释 | 第49-50页 |
| ·不同应力条件退化研究 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 LDD MOSFET延伸结构热载流子研究 | 第54-62页 |
| ·DDD MOSFET | 第54-56页 |
| ·ITLDD MOSFET | 第56-57页 |
| ·PLDD MOSFET | 第57-58页 |
| ·BLDD MOSFET | 第58-60页 |
| ·MLDD MOSFET | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结束语 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 研究成果 | 第69-70页 |
| 附录A 深亚微米 LDD MOSFET器件工艺参数程序 | 第70-72页 |
| 附录B 深亚微米 LDD MOSFET及其延伸器件仿真程序(一) | 第72-74页 |
| 附录C 深亚微米 LDD MOSFET及其延伸器件仿真程序(二) | 第74-76页 |
