| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·金刚石的结构和性能 | 第9-12页 |
| ·金刚石的结构 | 第9-10页 |
| ·金刚石的性能 | 第10-12页 |
| ·CVD 金刚石薄膜的研究状况 | 第12-13页 |
| ·CVD 金刚石薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| ·热丝CVD 法和EA－CVD 法 | 第13-14页 |
| ·微波等离子体CVD 法 | 第14页 |
| ·直流等离子体喷射CVD 法 | 第14-15页 |
| ·直流等热阴极PCVD 法 | 第15页 |
| ·金刚石薄膜的常用表征方法 | 第15-17页 |
| ·本文的研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 直流电弧等离子体喷射CVD 法生长金刚石膜的原理 | 第18-35页 |
| ·实验设备和开机步骤介绍 | 第19-21页 |
| ·实验设备 | 第19-20页 |
| ·开机步骤 | 第20-21页 |
| ·实验设备的传热数学模型 | 第21-30页 |
| ·沉积腔中传热机理分析 | 第21-22页 |
| ·传热数学模型组 | 第22-24页 |
| ·理论模型模拟计算结果 | 第24-28页 |
| ·实验验证 | 第28-30页 |
| ·气相生长金刚石薄膜的机理研究 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 各种因素对等离子体喷射CVD 法生长金刚石膜的影响 | 第35-46页 |
| ·基片材料选择和形核研究 | 第35-36页 |
| ·基片材料对金刚石膜生长的影响 | 第35页 |
| ·基片的预处理对金刚石膜沉积质量的影响 | 第35-36页 |
| ·基片温度对金刚石薄膜的影响 | 第36-41页 |
| ·碳源浓度金刚石薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
| ·等离子体炬输入功率对金刚石薄膜的影响 | 第43页 |
| ·金刚石厚膜的制备 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 薄膜开裂和基片温度控制 | 第46-53页 |
| ·薄膜的开裂脱落 | 第46-49页 |
| ·金刚石膜开裂的原因 | 第46-49页 |
| ·消除或减少金刚石膜开裂机率的尝试 | 第49页 |
| ·温度控制 | 第49-52页 |
| ·金刚石膜开裂的原因 | 第49页 |
| ·影响温度的因素 | 第49-51页 |
| ·控制温度的一些做法和设想 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |