| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·LiNbO_3 晶体简介 | 第12-15页 |
| ·LiNbO_3的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·LiNbO_3的性质及性能 | 第13-15页 |
| ·LiNbO_3薄膜制备及光致发光性质的研究进展 | 第15-17页 |
| ·LiNbO_3薄膜制备的研究现状 | 第15-16页 |
| ·LiNbO_3多层结构薄膜光致发光性质的研究现状 | 第16-17页 |
| ·LiNbO_3薄膜的制备技术 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法（sol-gel） | 第17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法（MOCVD） | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积法（Pulsed Laser Deposition, PLD） | 第18页 |
| ·溅射法（Sputtering） | 第18页 |
| ·论文选题的目的、意义以及可行性分析 | 第18-19页 |
| ·本文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 磁控溅射和热氧化法制备SiO_2缓冲层 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·热氧化法分类 | 第20-22页 |
| ·干氧氧化法 | 第20页 |
| ·水汽氧化法 | 第20-21页 |
| ·湿氧氧化法 | 第21页 |
| ·硅热氧化机理 | 第21-22页 |
| ·溅射氧化法 | 第22-23页 |
| ·SiO_2 缓冲层的制备与表征 | 第23-28页 |
| ·实验部分 | 第23页 |
| ·结果与分析 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 LiNbO_3薄膜的制备与表征 | 第30-52页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·射频磁控溅射法制备LiNbO_3薄膜的研究概况 | 第30-31页 |
| ·实验部分 | 第31页 |
| ·结果与分析 | 第31-50页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第31-47页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）形貌观察和形成机理分析 | 第47-50页 |
| ·C 轴取向LiNbO_3 薄膜的生长机理 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 FE、MN 掺杂的LiNbO_3薄膜制备与表征 | 第52-57页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·FE、MN掺杂的LiNbO_3薄膜研究现状 | 第52-53页 |
| ·FE、MN掺杂的LiNbO_3薄膜制备及表征 | 第53-55页 |
| ·实验部分 | 第53页 |
| ·结果与分析 | 第53-55页 |
| ·掺杂机理探讨 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 发光性质研究 | 第57-68页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·SiO_2缓冲层的发光情况及机理分析 | 第57-62页 |
| ·Si 衬底在不同温度下退火后的发光情况 | 第57-58页 |
| ·经不同温度退火的SiO_2薄膜的发光情况及机理分析 | 第58-62页 |
| ·SI/SiO_2/LiNbO_3薄膜的发光情况及机理分析 | 第62-64页 |
| ·FE、MN掺杂的SI/SiO_2/LiNbO_3薄膜的发光情况及机理分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第68-70页 |
| ·全文总结 | 第68-69页 |
| ·今后工作展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-81页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
