| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 惠普忆阻器模型及理论基础 | 第13-15页 |
| 1.2 忆阻器的阻变机制 | 第15-19页 |
| 1.2.1 整体效应 | 第16页 |
| 1.2.2 局域效应 | 第16-19页 |
| 1.3 忆阻器阻变层相关材料体系 | 第19-21页 |
| 1.3.1 有机材料体系 | 第19-20页 |
| 1.3.2 固体电解质体系 | 第20页 |
| 1.3.3 多元氧化物体系 | 第20-21页 |
| 1.3.4 二元氧化物体系 | 第21页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第21-24页 |
| 1.5 忆阻器的应用 | 第24-26页 |
| 1.5.1 在非易失存储方面的应用 | 第24-25页 |
| 1.5.2 在人工神经网络方面的应用 | 第25-26页 |
| 1.5.3 其他方面的应用 | 第26页 |
| 1.6 论文的选题意义与主要研究内容 | 第26-29页 |
| 2 单晶硅片基底SiO_2忆阻器制备工艺及性能测试分析 | 第29-42页 |
| 2.1 引言 | 第29-33页 |
| 2.1.1 硅基Ag/SiO_2/Pt忆阻器的工艺制备方法 | 第29-31页 |
| 2.1.2 硅基Ag/SiO_2/Pt忆阻器的测试分析方法 | 第31-33页 |
| 2.2 实验部分 | 第33-37页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 | 第34页 |
| 2.2.2 硅片表面处理工艺 | 第34-35页 |
| 2.2.3 磁控溅射法制备硅基忆阻器的上电极和下电极 | 第35-36页 |
| 2.2.4 Sol-Gel法制备硅基忆阻器的阻变功能层SiO_2薄膜 | 第36-37页 |
| 2.2.5 硅基Ag/SiO_2/Pt忆阻器的制备流程 | 第37页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第37-41页 |
| 2.3.1 阻变SiO_2薄膜表面形貌的表征和厚度测试 | 第37-38页 |
| 2.3.2 硅基Ag/SiO_2/Pt忆阻器重复性电学阻变开关特性的测试 | 第38-39页 |
| 2.3.3 硅基Ag/SiO_2/Pt忆阻器耐受性的测试 | 第39-40页 |
| 2.3.4 硅基Ag/SiO_2/Pt忆阻器保持特性的测试 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 柔性基底SiO_2忆阻器制备工艺及性能测试分析 | 第42-51页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-45页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第43页 |
| 3.2.2 丝网印刷方式制备柔性忆阻器的上电极 | 第43-44页 |
| 3.2.3 磁控溅射法制备柔性忆阻器的下电极 | 第44页 |
| 3.2.4 Sol-Gel法制备柔性忆阻器的阻变功能层SiO_2薄膜 | 第44-45页 |
| 3.2.5 柔性忆阻器的结构设计 | 第45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 3.3.1 阻变SiO_2薄膜的厚度测试 | 第45-46页 |
| 3.3.2 柔性Ag/SiO_2/Pt忆阻器重复性电学阻变开关特性的测试 | 第46-47页 |
| 3.3.3 柔性Ag/SiO_2/Pt忆阻器耐受性的测试 | 第47-48页 |
| 3.3.4 柔性Ag/SiO_2/Pt忆阻器保持特性的测试 | 第48-49页 |
| 3.4 柔性忆阻器与单晶硅忆阻器性能比较 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 参数对柔性基底SiO_2忆阻器的特性影响分析 | 第51-57页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 阻变层SiO_2薄膜厚度对柔性忆阻器的特性影响分析 | 第51-54页 |
| 4.3 限制电流对柔性忆阻器的特性影响分析 | 第54-55页 |
| 4.4 外加电压幅值对柔性忆阻器的特性影响分析 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 结论 | 第57-60页 |
| 5.1 工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 创新点和存在的问题 | 第58-59页 |
| 5.2.1 创新点 | 第58页 |
| 5.2.2 存在的问题 | 第58-59页 |
| 5.3 工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 作者攻读学位期间取得的研究成果 | 第65页 |
