| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 气敏传感器简介 | 第11-18页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义 | 第11-12页 |
| 1.2.2 气敏传感器的分类 | 第12-13页 |
| 1.2.3 半导体气敏传感器的主要性能参数 | 第13-14页 |
| 1.2.4 半导体气敏传感器的气敏机理 | 第14-15页 |
| 1.2.5 半导体气敏传感器的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.6 半导体气敏传感器的发展趋势 | 第17-18页 |
| 1.3 单层二硫化钼简介 | 第18-21页 |
| 1.3.1 体相二硫化钼 | 第18-19页 |
| 1.3.2 单层二硫化钼 | 第19页 |
| 1.3.3 单层二硫化钼的实验制备 | 第19-20页 |
| 1.3.4 单层二硫化钼的应用前景 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的选题意义及主要研究内容 | 第21页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第21页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第21页 |
| 1.5 本章小结 | 第21-23页 |
| 第二章 理论基础简介 | 第23-33页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 从头算理论 | 第23-25页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第23-24页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第24-25页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第25-28页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.3.3 交换-关联泛函的简化 | 第27-28页 |
| 2.4 Bloch定理 | 第28页 |
| 2.5 平面波赝势方法 | 第28-30页 |
| 2.5.1 平面波方法 | 第29页 |
| 2.5.2 赝势 | 第29-30页 |
| 2.6 计算软件简介 | 第30-32页 |
| 2.6.1 MaterialsStudio软件 | 第30-31页 |
| 2.6.2 CASTEP模块 | 第31-32页 |
| 2.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Ag单掺杂单层MoS_2气敏性能研究 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 理论模型和计算方法 | 第33-35页 |
| 3.2.1 理论模型 | 第33-34页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第34-35页 |
| 3.3 计算结果和分析 | 第35-44页 |
| 3.3.1未吸附状态下Ag单掺杂单层MoS_2 | 第35-39页 |
| 3.3.2 Ag单掺杂单层MoS_2体系的吸附特性 | 第39-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 Ag-Si,P,Cl共掺杂单层MoS_2气敏性能研究 | 第45-57页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第45-47页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第45-46页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第46-47页 |
| 4.3 计算结果和分析 | 第47-55页 |
| 4.3.1未吸附状态下的Ag-Si,P,Cl共掺杂单层MoS_2 | 第47-51页 |
| 4.3.2 单层Ag-Si,P,Cl-MoS_2体系的吸附特性 | 第51-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 Al单掺杂单层MoS_2气敏性能研究 | 第57-67页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第57-58页 |
| 5.3 计算结果与分析 | 第58-65页 |
| 5.3.1未吸附状态下Al单掺杂单层MoS_2 | 第58-61页 |
| 5.3.2 单层Al-MoS_2体系的吸附特性 | 第61-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 作者在攻读硕士期间的科研成果 | 第76页 |
