| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 谐振腔发光二极管(RCLED)的概念和基本特点 | 第11-13页 |
| 1.2 RCLED的发展历史与应用 | 第13-17页 |
| 1.3 GaN基RCLED的研究进展 | 第17-20页 |
| 1.4 本论文的主要工作和成果 | 第20-23页 |
| 第二章 RCLED的理论基础 | 第23-33页 |
| 2.1 Fabry-Perot微腔结构与原理 | 第23-26页 |
| 2.2 微腔对光谱辐射的增强 | 第26-28页 |
| 2.2.1 谐振波长处的辐射增强 | 第26-27页 |
| 2.2.2 整体辐射增强 | 第27-28页 |
| 2.3 RCLED提取效率的优化 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 GaN基RCLED的谐振腔设计及制备工艺 | 第33-59页 |
| 3.1 RCLED的谐振腔设计要点 | 第33-35页 |
| 3.2 RCLED的谐振腔的设计 | 第35-44页 |
| 3.2.1 RCLED的顶部反射镜设计 | 第35-42页 |
| 3.2.2 RCLED的底部反射镜设计 | 第42-44页 |
| 3.3 GaN基RCLED的实验方法 | 第44-54页 |
| 3.3.1 MOCVD外延生长 | 第44-46页 |
| 3.3.2 感应耦合等离子体刻蚀 | 第46-48页 |
| 3.3.3 光刻 | 第48-50页 |
| 3.3.4 激光剥离 | 第50-52页 |
| 3.3.5 磁控溅射 | 第52页 |
| 3.3.6 电镀Cu衬底 | 第52-54页 |
| 3.4 GaN基RCLED的制备工艺 | 第54-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 不同反射镜的RCLED的性能测试与特性分析 | 第59-73页 |
| 4.1 光性能测试 | 第59-64页 |
| 4.1.1 E-L特性测试与分析 | 第59-61页 |
| 4.1.2 远场分布测试与分析 | 第61-64页 |
| 4.2 电性能测试 | 第64-70页 |
| 4.2.1 I-V测试与分析 | 第64页 |
| 4.2.2 P-I测试与分析 | 第64-68页 |
| 4.2.3 调制带宽测试与分析 | 第68-70页 |
| 4.3 不同反射镜对提取效率的影响 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 在学期间发表论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |