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GaN基LED在短期电流应力老化过程中的光电性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 LED发展历史与现状第11-12页
    1.2 LED的结构和发光机理第12-14页
    1.3 LED的量子效率与Droop效应第14-19页
        1.3.1 量子效率第14-15页
        1.3.2 Droop效应第15-19页
    1.4 GaN基LED的老化机理第19-22页
    1.5 研究内容概述第22-25页
第二章 结合短期老化对低温下蓝绿光LED光效下降现象的研究第25-39页
    2.1 研究背景第25-26页
    2.2 实验设计第26-28页
    2.3 低温下点缺陷对蓝绿光LED光电性能的影响第28-38页
        2.3.1 实验现象第28-32页
        2.3.2 理论分析第32-36页
        2.3.3 自热效应与补充实验第36-38页
    2.4 结论第38-39页
第三章 基于高光谱技术对短期老化过程中绿光LED光学性能变化的研究第39-51页
    3.1 高光谱成像技术第39-40页
    3.2 研究背景第40-41页
    3.3 显微镜-高光谱系统以及实验设计第41-43页
    3.4 实验结果与分析第43-49页
        3.4.1 短期老化过程中芯片表面光学性能的变化第43-47页
        3.4.2 小电流下芯片表面光学性能的不均匀分布第47-49页
    3.5 结论第49-51页
第四章 总结与展望第51-53页
参考文献第53-61页
硕士期间研究成果第61-63页
致谢第63页

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