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高浓度掺杂CdSe/ZnS量子点光纤光谱特性的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
符号说明第9-11页
第一章 绪论第11-25页
   ·光纤及光纤技术的发展第11-13页
     ·光纤技术的发展第11-12页
     ·光纤简介第12-13页
   ·几种新型特种光纤的简介第13-20页
     ·保偏光纤第13-14页
     ·色散补偿光纤第14-15页
     ·双包层光纤第15-16页
     ·微结构光纤第16-17页
     ·稀土掺杂光纤第17-20页
   ·光纤的制备工艺第20-22页
     ·MCVD 工艺简述第21页
     ·OVD 工艺第21-22页
     ·VAD 工艺第22页
     ·PCVD 工艺第22页
   ·本研究项目的目标和意义第22-24页
   ·本文结构第24-25页
第二章 CdSe/ZnS 量子点掺杂光纤第25-38页
   ·量子点简介第25-29页
     ·量子点的基本概念第25-26页
     ·量子点的结构第26-27页
     ·量子点的光谱特性第27-28页
     ·量子点的应用第28-29页
   ·CdSe/ZnS量子点第29-34页
     ·CdSe/ZnS量子点的结构第29-30页
     ·CdSe/ZnS量子点的表征第30-34页
   ·CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的制备第34-37页
     ·CdSe/ZnS量子点胶体的制备第34-35页
     ·空芯光纤灌装方法第35-36页
     ·量子点掺杂光纤的封装第36-37页
   ·本章小结第37-38页
第三章 CdSe/ZnS量子点掺杂光纤光致荧光光强的测量第38-45页
   ·实验材料及仪器第38-39页
     ·实验材料第38页
     ·实验仪器第38-39页
   ·实验过程第39-40页
     ·CdSe第39页
     ·光谱的测量第39-40页
   ·量子点掺杂浓度的估计第40-42页
   ·不同掺杂浓度下的PL 光谱第42-44页
   ·本章小结第44-45页
第四章 较高掺杂浓度下第45-54页
   ·P L 峰值强度增益与掺杂光纤长度的关系第45-49页
     ·光纤中激励光强的变化第45-47页
     ·CdSe/ZnS量子点消光系数和吸收截面的计算第47-49页
   ·PL 峰值强度增益与掺杂浓度的关系第49-51页
   ·PL 光谱中的其它谱峰第51-52页
   ·红移现象第52-53页
   ·本章小结第53-54页
第五章 量子点光纤的应用第54-58页
   ·量子点光纤放大器第54-57页
     ·QDFA 的工作原理第55-56页
     ·QDFA 的能级模型第56-57页
   ·本章小结第57-58页
第六章 本文的工作与展望第58-60页
参考文献第60-64页
致谢第64-65页
攻读硕士学位期间发表的论文及参加的科研项目第65页
 发表的论文第65页
 参加的科研项目第65页

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