摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
符号说明 | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
·光纤及光纤技术的发展 | 第11-13页 |
·光纤技术的发展 | 第11-12页 |
·光纤简介 | 第12-13页 |
·几种新型特种光纤的简介 | 第13-20页 |
·保偏光纤 | 第13-14页 |
·色散补偿光纤 | 第14-15页 |
·双包层光纤 | 第15-16页 |
·微结构光纤 | 第16-17页 |
·稀土掺杂光纤 | 第17-20页 |
·光纤的制备工艺 | 第20-22页 |
·MCVD 工艺简述 | 第21页 |
·OVD 工艺 | 第21-22页 |
·VAD 工艺 | 第22页 |
·PCVD 工艺 | 第22页 |
·本研究项目的目标和意义 | 第22-24页 |
·本文结构 | 第24-25页 |
第二章 CdSe/ZnS 量子点掺杂光纤 | 第25-38页 |
·量子点简介 | 第25-29页 |
·量子点的基本概念 | 第25-26页 |
·量子点的结构 | 第26-27页 |
·量子点的光谱特性 | 第27-28页 |
·量子点的应用 | 第28-29页 |
·CdSe/ZnS量子点 | 第29-34页 |
·CdSe/ZnS量子点的结构 | 第29-30页 |
·CdSe/ZnS量子点的表征 | 第30-34页 |
·CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的制备 | 第34-37页 |
·CdSe/ZnS量子点胶体的制备 | 第34-35页 |
·空芯光纤灌装方法 | 第35-36页 |
·量子点掺杂光纤的封装 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第三章 CdSe/ZnS量子点掺杂光纤光致荧光光强的测量 | 第38-45页 |
·实验材料及仪器 | 第38-39页 |
·实验材料 | 第38页 |
·实验仪器 | 第38-39页 |
·实验过程 | 第39-40页 |
·CdSe | 第39页 |
·光谱的测量 | 第39-40页 |
·量子点掺杂浓度的估计 | 第40-42页 |
·不同掺杂浓度下的PL 光谱 | 第42-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第四章 较高掺杂浓度下 | 第45-54页 |
·P L 峰值强度增益与掺杂光纤长度的关系 | 第45-49页 |
·光纤中激励光强的变化 | 第45-47页 |
·CdSe/ZnS量子点消光系数和吸收截面的计算 | 第47-49页 |
·PL 峰值强度增益与掺杂浓度的关系 | 第49-51页 |
·PL 光谱中的其它谱峰 | 第51-52页 |
·红移现象 | 第52-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第五章 量子点光纤的应用 | 第54-58页 |
·量子点光纤放大器 | 第54-57页 |
·QDFA 的工作原理 | 第55-56页 |
·QDFA 的能级模型 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第六章 本文的工作与展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及参加的科研项目 | 第65页 |
发表的论文 | 第65页 |
参加的科研项目 | 第65页 |