| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-40页 |
| 1.1 气敏传感器 | 第15-19页 |
| 1.1.1 概述 | 第15页 |
| 1.1.2 气敏传感器分类 | 第15-16页 |
| 1.1.3 甲醇气敏传感器 | 第16-19页 |
| 1.2 紫外光探测器简介 | 第19-24页 |
| 1.2.1 紫外光探测器的概述 | 第19-21页 |
| 1.2.2 紫外光探测器的分类 | 第21-24页 |
| 1.3 GaN材料简介 | 第24-30页 |
| 1.3.1 GaN的基本性质 | 第24-25页 |
| 1.3.2 GaN的应用与研究进展 | 第25-30页 |
| 1.4 Si基GaN | 第30-32页 |
| 1.5 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) | 第32-33页 |
| 1.6 本课题的研究思路 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 材料表征方法及Si-NPA衬底的制备 | 第40-58页 |
| 2.1 扫描电子显微镜 | 第40-42页 |
| 2.1.1 SEM基本原理 | 第40-41页 |
| 2.1.2 SEM的应用 | 第41-42页 |
| 2.2 透射电子显微镜 | 第42-43页 |
| 2.2.1 TEM基本原理 | 第42-43页 |
| 2.2.2 TEM的应用 | 第43页 |
| 2.3 X射线衍射 | 第43-45页 |
| 2.3.1 XRD基本原理 | 第43-44页 |
| 2.3.2 XRD的应用 | 第44-45页 |
| 2.4 光致荧光 | 第45-47页 |
| 2.4.1 PL基本原理 | 第45-46页 |
| 2.4.2 PL的应用 | 第46-47页 |
| 2.5 Si-NPA的制备方法 | 第47-55页 |
| 2.5.1 Si-NPA的形貌特征 | 第50-52页 |
| 2.5.2 Si-NPA的XRD图谱 | 第52页 |
| 2.5.3 Si-NPA的光致荧光特性 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 GaN/Si-NPA的生长、优化及特性研究 | 第58-89页 |
| 3.1 Pt/Si-NPA的制备 | 第58-63页 |
| 3.1.1 Pt/Si-NPA的形貌与结构 | 第59-61页 |
| 3.1.2 退火对Pt/Si-NPA的影响 | 第61-63页 |
| 3.2 GaN/Si-NPA结构的制备方法 | 第63-64页 |
| 3.3 典型GaN/Si-NPA结构的材料特性表征 | 第64-71页 |
| 3.3.1 GaN/Si-NPA的XRD谱 | 第65-66页 |
| 3.3.2 GaN/Si-NPA的形貌分析 | 第66-68页 |
| 3.3.3 GaN/Si-NPA的发光特性 | 第68-71页 |
| 3.4 GaN/Si-NPA结构的生长优化及材料特性研究 | 第71-84页 |
| 3.4.1 生长温度对GaN/Si-NPA结构特性的影响 | 第71-74页 |
| 3.4.2 反应压强对GaN/Si-NPA结构特性的影响 | 第74-78页 |
| 3.4.3 氨气流量对GaN/Si-NPA结构特性的影响 | 第78-80页 |
| 3.4.4 GaN/Si-NPA的变温荧光特性 | 第80-84页 |
| 本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第四章 GaN/Si-NPA基气敏传感器的制备及其特性研究 | 第89-112页 |
| 4.1 引言 | 第89-90页 |
| 4.2 GaN/Si-NPA气敏传感器的制备 | 第90-92页 |
| 4.3 GaN/Si-NPA结构的材料特性表征 | 第92-95页 |
| 4.4 GaN/Si-NPA对甲醇气体的探测特性 | 第95-101页 |
| 4.4.1 最佳工作温度 | 第95-96页 |
| 4.4.2 响应恢复特性 | 第96-98页 |
| 4.4.3 响应/恢复速率 | 第98-100页 |
| 4.4.4 气体选择性 | 第100-101页 |
| 4.5 GaN/Si-NPA对甲醇气体的传感机理 | 第101-106页 |
| 本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-112页 |
| 第五章 GaN/Si-NPA光电探测器的制备及其特性研究 | 第112-135页 |
| 5.1 引言 | 第112页 |
| 5.2 光电探测器性能表征 | 第112-114页 |
| 5.2.1 器件测试所用的主要仪器 | 第112-113页 |
| 5.2.2 光电探测器的性能表征 | 第113-114页 |
| 5.3 光电导型探测器的制备及其性能研究 | 第114-121页 |
| 5.3.1 光电探测器的制备 | 第114-115页 |
| 5.3.2 光电探测器的性能研究 | 第115-121页 |
| 5.4 异质结型光电探测器的制备及其性能研究 | 第121-131页 |
| 5.4.1 光电探测器的制备 | 第121-122页 |
| 5.4.2 GaN/Si-NPA的形貌特性表征 | 第122-124页 |
| 5.4.3 GaN/Si-NPA的电学特性 | 第124-131页 |
| 本章小结 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-135页 |
| 第六章 结论与展望 | 第135-137页 |
| 博士期间完成的论文情况 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138页 |
