| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 Ga_2O_3的晶体结构及其电学与光学性质 | 第16-20页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 电学与光学性质 | 第17-20页 |
| 1.3 国内外氧化镓材料的应用与研究进展 | 第20-23页 |
| 1.3.1 氧化镓材料的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.2 国内外Ga_2O_3材料与器件研究进展 | 第21-23页 |
| 1.4 氧化镓薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| 1.5 研究内容与结构安排 | 第25-26页 |
| 第二章 薄膜生长设备及薄膜测试表征 | 第26-38页 |
| 2.1 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)系统 | 第26-33页 |
| 2.1.1 PLD技术发展历程 | 第26-27页 |
| 2.1.2 PLD系统组成 | 第27-29页 |
| 2.1.3 PLD技术薄膜沉积原理 | 第29-32页 |
| 2.1.4 PLD技术薄膜沉积生长的影响因素 | 第32-33页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 紫外-可见分光光度计(UV-VIS Spectrophotometer) | 第33-34页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第34-35页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM) | 第35-36页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS) | 第36页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM) | 第36-37页 |
| 2.2.6 原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM) | 第37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上铝镓氧薄膜生长及其性质 | 第38-52页 |
| 3.1 脉冲激光沉积法生长 (AlGa)_2O_3薄膜的工艺流程 | 第38-39页 |
| 3.2 Al含量为12%原子比的氧化镓靶材的(Al_(0.12)Ga_(0.88))_2O_3薄膜生长 | 第39-45页 |
| 3.2.1 生长温度对 (AlGa)_2O_3薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.2 氧气分压对 (AlGa)_2O_3薄膜的影响 | 第41-45页 |
| 3.3 铝镓氧薄膜的光电探测特性 | 第45-51页 |
| 3.3.1 引言 | 第46页 |
| 3.3.2 紫外光探测器制备 | 第46-47页 |
| 3.3.3 紫外光探测器特性分析 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 n型掺杂β-Ga_2O_3薄膜生长研究 | 第52-62页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 Si二维掺杂氧化镓薄膜生长 | 第53-56页 |
| 4.2.1 实验工艺 | 第53页 |
| 4.2.2 表征结果及分析讨论 | 第53-56页 |
| 4.3 Si二维掺杂氧化镓薄膜的光电探测特性 | 第56-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 全文总结 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |
