| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-20页 |
| ·GaN的基本性质 | 第11-14页 |
| ·GaN的物理性质 | 第11-13页 |
| ·GaN的化学性质 | 第13页 |
| ·GaN的电学性质 | 第13页 |
| ·GaN的光学性质 | 第13-14页 |
| ·GaN的应用 | 第14-16页 |
| ·高亮度发光二极管(LED) | 第14-15页 |
| ·半导体激光器件(LD) | 第15页 |
| ·紫外(UV)光电探测器 | 第15-16页 |
| ·衬底的选择 | 第16-19页 |
| ·GaN衬底 | 第16-17页 |
| ·α-Al_2O_3衬底 | 第17-18页 |
| ·SiC衬底 | 第18页 |
| ·Si衬底 | 第18页 |
| ·石英和普通玻璃衬底 | 第18-19页 |
| ·其他衬底 | 第19页 |
| ·本文研究的意义和研究内容 | 第19-20页 |
| 2 GaN的生长及其表征 | 第20-28页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第20-21页 |
| ·岛状生长模式 | 第20-21页 |
| ·单层生长模式 | 第21页 |
| ·层岛复合生长模式 | 第21页 |
| ·影响GaN薄膜结构和成核因素 | 第21-23页 |
| ·沉积速率 | 第21-22页 |
| ·反应源的流速 | 第22页 |
| ·衬底温度 | 第22页 |
| ·微波功率 | 第22页 |
| ·衬底材料 | 第22-23页 |
| ·反应室真空度 | 第23页 |
| ·GaN的生长方法 | 第23-24页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第23页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第23-24页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第24页 |
| ·GaN薄膜的表征 | 第24-28页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第24-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第26-27页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第27-28页 |
| 3 实验方法 | 第28-34页 |
| ·实验设备 | 第28-32页 |
| ·电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD) | 第28-29页 |
| ·ESPD-U的总体结构及特征 | 第29-32页 |
| ·实验设计 | 第32-34页 |
| ·衬底的清洗 | 第32页 |
| ·铝薄膜的制备 | 第32页 |
| ·GaN薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第34-53页 |
| ·不同衬底氮化时间对沉积GaN薄膜质量的影响 | 第34-38页 |
| ·不同衬底氮化时间条件下GaN薄膜的制备工艺 | 第34-35页 |
| ·结果与分析 | 第35-38页 |
| ·RHEED图像分析 | 第35-36页 |
| ·XRD测试分析 | 第36-37页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38页 |
| ·不同TMGa流量对沉积GaN薄膜质量的影响 | 第38-45页 |
| ·不同TMGa流量条件下GaN薄膜的制备工艺 | 第38-39页 |
| ·结果与分析 | 第39-45页 |
| ·RHEED图像分析 | 第39-40页 |
| ·XRD测试分析 | 第40-42页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第42-43页 |
| ·Raman光谱分析 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45页 |
| ·不同衬底温度对沉积GaN薄膜质量的影响 | 第45-52页 |
| ·不同衬底温度条件下的GaN薄膜制备工艺 | 第45-46页 |
| ·结果与分析 | 第46-51页 |
| ·RHEED图像分析 | 第46-47页 |
| ·XRD测试分析 | 第47-48页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第48-49页 |
| ·Raman光谱分析 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |