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ZnO基薄膜晶体管的初步研究

提要第1-7页
第一章 绪论第7-18页
   ·ZnO 及MgO 材料的基本性质第10-11页
   ·ZnO 材料研究进展第11-16页
   ·ZnO 基薄膜晶体管的研究进展第16-17页
   ·本论文的主要内容第17-18页
第二章MgO/ZnO 反应源、设备和表征方法第18-26页
   ·制备MgO/ZnO 薄膜的源材料第18-20页
   ·制备MgO/ZnO 材料的MOCVD-Ⅱ系统第20-22页
   ·MgO/ZnO 薄膜的MOCVD 制备步骤第22-23页
   ·常用的样品表征方法第23-26页
第三章 生长条件对MgO 薄膜质量的影响第26-39页
   ·MOCVD 法制备MgO 薄膜第26页
   ·衬底温度以及退火对MgO 薄膜的表面形貌的影响第26-33页
     ·制备样品的SEM 图片第26-32页
     ·对表面形貌成因的分析第32-33页
   ·衬底温度对MgO 薄膜的可见光透射率的影响第33-37页
     ·制备的MgO 样品的可见光透射率第34-37页
     ·对样品透射率的分析第37页
   ·衬底温度对MgO 薄膜的绝缘性的影响第37-39页
第四章ZnO 基TFT 相关器件制备与研究第39-50页
   ·ZnO 基TFT 的结构和工作原理第39-41页
     ·ZnO 基TFT 的基本结构第39-41页
   ·改变生长条件对ZnO 基TFT 器件特性的影响第41-50页
     ·镁源气体流量对ZnO 基TFT 器件特性的影响第41-45页
     ·氧气流量对ZnO 基TFT 器件特性的影响第45-50页
结论第50-51页
参考文献第51-56页
致谢第56-57页
摘要第57-59页
Abstract第59-60页

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