ZnO基薄膜晶体管的初步研究
| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·ZnO 及MgO 材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO 材料研究进展 | 第11-16页 |
| ·ZnO 基薄膜晶体管的研究进展 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章MgO/ZnO 反应源、设备和表征方法 | 第18-26页 |
| ·制备MgO/ZnO 薄膜的源材料 | 第18-20页 |
| ·制备MgO/ZnO 材料的MOCVD-Ⅱ系统 | 第20-22页 |
| ·MgO/ZnO 薄膜的MOCVD 制备步骤 | 第22-23页 |
| ·常用的样品表征方法 | 第23-26页 |
| 第三章 生长条件对MgO 薄膜质量的影响 | 第26-39页 |
| ·MOCVD 法制备MgO 薄膜 | 第26页 |
| ·衬底温度以及退火对MgO 薄膜的表面形貌的影响 | 第26-33页 |
| ·制备样品的SEM 图片 | 第26-32页 |
| ·对表面形貌成因的分析 | 第32-33页 |
| ·衬底温度对MgO 薄膜的可见光透射率的影响 | 第33-37页 |
| ·制备的MgO 样品的可见光透射率 | 第34-37页 |
| ·对样品透射率的分析 | 第37页 |
| ·衬底温度对MgO 薄膜的绝缘性的影响 | 第37-39页 |
| 第四章ZnO 基TFT 相关器件制备与研究 | 第39-50页 |
| ·ZnO 基TFT 的结构和工作原理 | 第39-41页 |
| ·ZnO 基TFT 的基本结构 | 第39-41页 |
| ·改变生长条件对ZnO 基TFT 器件特性的影响 | 第41-50页 |
| ·镁源气体流量对ZnO 基TFT 器件特性的影响 | 第41-45页 |
| ·氧气流量对ZnO 基TFT 器件特性的影响 | 第45-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 摘要 | 第57-59页 |
| Abstract | 第59-60页 |