摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第11-26页 |
1.1 课题来源 | 第11页 |
1.2 课题研究的目的及意义 | 第11-13页 |
1.3 国内外研究现状与发展动态 | 第13-23页 |
1.3.1 面向高温环境应用的半导体器件 | 第14-19页 |
1.3.2 高温薄膜型SBDs的研究现状 | 第19-23页 |
1.4 论文主要研究内容 | 第23-24页 |
1.5 论文创新点 | 第24-26页 |
2 金属-半导体接触相关理论 | 第26-38页 |
2.1 概述 | 第26页 |
2.2 肖特基接触 | 第26-31页 |
2.2.1 理想肖特基势垒形成 | 第26-29页 |
2.2.2 电流传输机制 | 第29-30页 |
2.2.3 空间耗尽层电容 | 第30-31页 |
2.3 影响肖特基势垒高度的因素 | 第31-34页 |
2.3.1 表面态 | 第31-32页 |
2.3.2 镜像力 | 第32-34页 |
2.4 欧姆接触 | 第34-36页 |
2.5 SBDs等效电路模型 | 第36页 |
2.6 本章小结 | 第36-38页 |
3 a-IGZO SBDs器件设计及制备 | 第38-46页 |
3.1 概述 | 第38页 |
3.2 a-IGZO半导体材料性能 | 第38-39页 |
3.3 电极材料选择 | 第39-41页 |
3.3.1 阳极金属 | 第39-40页 |
3.3.2 阴极金属 | 第40-41页 |
3.4 a-IGZO SBDs器件制备 | 第41-45页 |
3.5 本章小结 | 第45-46页 |
4 a-IGZO SBDs常温特性测试 | 第46-56页 |
4.1 概述 | 第46页 |
4.2 常温特性测试系统介绍 | 第46页 |
4.3 制备条件对a-IGZO SBDs性能的影响 | 第46-55页 |
4.3.1 阳极金属材料 | 第47-49页 |
4.3.2 a-IGZO层厚度 | 第49-51页 |
4.3.3 整流结面积 | 第51-53页 |
4.3.4 溅射氧气含量 | 第53-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-56页 |
5 a-IGZO SBDs高温特性测试 | 第56-64页 |
5.1 概述 | 第56页 |
5.2 高温特性测试系统介绍 | 第56-57页 |
5.3 a-IGZO SBDs高温特性测试及分析 | 第57-63页 |
5.3.1 a-IGZO SBDs高温参数提取及分析 | 第57-61页 |
5.3.2 a-IGZO SBDs温度传感器高温参数提取及分析 | 第61-63页 |
5.4 本章小结 | 第63-64页 |
6 总结与展望 | 第64-66页 |
6.1 论文工作总结 | 第64页 |
6.2 工作展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-72页 |
攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-75页 |