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Al2O3基薄膜型a-IGZO肖特基势垒二极管制备及高温特性研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第11-26页
    1.1 课题来源第11页
    1.2 课题研究的目的及意义第11-13页
    1.3 国内外研究现状与发展动态第13-23页
        1.3.1 面向高温环境应用的半导体器件第14-19页
        1.3.2 高温薄膜型SBDs的研究现状第19-23页
    1.4 论文主要研究内容第23-24页
    1.5 论文创新点第24-26页
2 金属-半导体接触相关理论第26-38页
    2.1 概述第26页
    2.2 肖特基接触第26-31页
        2.2.1 理想肖特基势垒形成第26-29页
        2.2.2 电流传输机制第29-30页
        2.2.3 空间耗尽层电容第30-31页
    2.3 影响肖特基势垒高度的因素第31-34页
        2.3.1 表面态第31-32页
        2.3.2 镜像力第32-34页
    2.4 欧姆接触第34-36页
    2.5 SBDs等效电路模型第36页
    2.6 本章小结第36-38页
3 a-IGZO SBDs器件设计及制备第38-46页
    3.1 概述第38页
    3.2 a-IGZO半导体材料性能第38-39页
    3.3 电极材料选择第39-41页
        3.3.1 阳极金属第39-40页
        3.3.2 阴极金属第40-41页
    3.4 a-IGZO SBDs器件制备第41-45页
    3.5 本章小结第45-46页
4 a-IGZO SBDs常温特性测试第46-56页
    4.1 概述第46页
    4.2 常温特性测试系统介绍第46页
    4.3 制备条件对a-IGZO SBDs性能的影响第46-55页
        4.3.1 阳极金属材料第47-49页
        4.3.2 a-IGZO层厚度第49-51页
        4.3.3 整流结面积第51-53页
        4.3.4 溅射氧气含量第53-55页
    4.4 本章小结第55-56页
5 a-IGZO SBDs高温特性测试第56-64页
    5.1 概述第56页
    5.2 高温特性测试系统介绍第56-57页
    5.3 a-IGZO SBDs高温特性测试及分析第57-63页
        5.3.1 a-IGZO SBDs高温参数提取及分析第57-61页
        5.3.2 a-IGZO SBDs温度传感器高温参数提取及分析第61-63页
    5.4 本章小结第63-64页
6 总结与展望第64-66页
    6.1 论文工作总结第64页
    6.2 工作展望第64-66页
参考文献第66-72页
攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果第72-74页
致谢第74-75页

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