| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 金属氧化物半导体TFT | 第12-13页 |
| 1.3 栅绝缘层 | 第13-15页 |
| 1.3.1 栅绝缘层对TFT性能的影响 | 第13页 |
| 1.3.2 栅绝缘层的选择 | 第13-14页 |
| 1.3.3 栅绝缘层的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容和意义 | 第15-16页 |
| 第二章 氧化铝薄膜的制备及其性能表征 | 第16-35页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 氧化铝薄膜的制备方法简介 | 第16-17页 |
| 2.3 磁控溅射技术介绍 | 第17-19页 |
| 2.3.1 磁控溅射镀膜的原理 | 第17-18页 |
| 2.3.2 磁控溅射的分类 | 第18页 |
| 2.3.3 磁控溅射的优点 | 第18-19页 |
| 2.3.4 影响磁控溅射镀膜的主要参数 | 第19页 |
| 2.4 磁控溅射法制备铝膜 | 第19-25页 |
| 2.4.1 实验基片预处理 | 第20-21页 |
| 2.4.2 射频磁控溅射制备铝膜 | 第21-22页 |
| 2.4.3 铝膜的表征 | 第22-24页 |
| 2.4.4 结果分析 | 第24-25页 |
| 2.5 阳极氧化法制备氧化铝薄膜 | 第25-28页 |
| 2.5.1 阳极氧化的基本原理 | 第25-26页 |
| 2.5.2 影响阳极氧化过程的主要因素 | 第26-27页 |
| 2.5.3 阳极氧化的实验装置 | 第27-28页 |
| 2.6 氧化铝薄膜性能的表征 | 第28-29页 |
| 2.6.1 MIM结构和击穿电压： | 第28-29页 |
| 2.7 氧化铝薄膜的性能参数 | 第29-34页 |
| 2.7.1 不同电解液对氧化铝薄膜的影响 | 第29-32页 |
| 2.7.2 不同电解液浓度对氧化铝薄膜的影响 | 第32-34页 |
| 2.8 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 薄膜晶体管理论基础 | 第35-46页 |
| 3.1 薄膜晶体管的结构和工作原理 | 第35-38页 |
| 3.1.1 薄膜晶体管的基本结构 | 第35-36页 |
| 3.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第36-38页 |
| 3.2 薄膜晶体管的分类 | 第38-40页 |
| 3.2.1 非晶硅TFT | 第38-39页 |
| 3.2.2 多晶硅TFT | 第39页 |
| 3.2.3 有机TFT | 第39页 |
| 3.2.4 氧化物TFT | 第39-40页 |
| 3.3 薄膜晶体管的主要制备工艺 | 第40-44页 |
| 3.3.1 光刻工艺 | 第40-42页 |
| 3.3.2 刻蚀工艺 | 第42-44页 |
| 3.4 薄膜晶体管的主要特性参数 | 第44-45页 |
| 3.4.1 载流子迁移率 | 第44页 |
| 3.4.2 亚阈值摆幅 | 第44页 |
| 3.4.3 开关比 | 第44-45页 |
| 3.4.4 阈值电压 | 第45页 |
| 3.4.5 击穿电压 | 第45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 阳极氧化铝绝缘层的薄膜晶体管 | 第46-58页 |
| 4.1 阳极氧化铝绝缘层TFT的制备 | 第46-51页 |
| 4.1.1 阳极氧化铝绝缘层TFT的结构 | 第46页 |
| 4.1.2 阳极氧化铝TFT制备工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.1.3 主要仪器及用途 | 第47-48页 |
| 4.1.4 栅电极铝的制备 | 第48页 |
| 4.1.5 阳极氧化铝栅绝缘层的制备 | 第48页 |
| 4.1.6 有源层氮氧锌薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.1.7 源漏电极Mo的制备 | 第49-51页 |
| 4.2 阳极氧化铝绝缘层TFT的电学性能测试 | 第51-52页 |
| 4.2.1 测试系统 | 第51页 |
| 4.2.2 测试步骤 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与分析 | 第52-56页 |
| 4.3.1 不同电解液对阳极氧化铝TFT性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 不同溶液浓度对阳极氧化铝TFT性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望计划 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第65页 |