| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 量子点（quantum dots,QDs）概述 | 第9-12页 |
| 1.2.1 量子点的制备方法 | 第11页 |
| 1.2.2 量子点光电特性 | 第11-12页 |
| 1.3 量子点器件发光原理 | 第12-13页 |
| 1.4 量子点发光器件概述 | 第13-19页 |
| 1.5 量子点LED的前景与挑战 | 第19-20页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第21-28页 |
| 2.1 制备工艺介绍 | 第21-22页 |
| 2.1.1 旋转涂覆 | 第21-22页 |
| 2.2 测试方法 | 第22-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析（XRD） | 第22页 |
| 2.2.2 X射线反射（XRR） | 第22-24页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第24-25页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第25页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第25-26页 |
| 2.2.6 光致发光光谱（PL） | 第26-27页 |
| 2.3 电学性能测试 | 第27-28页 |
| 第三章 量子点LED器件的制备优化及其失效分析 | 第28-43页 |
| 3.1 Type IV型量子点LED的能带结构介绍 | 第28-30页 |
| 3.2 量子点LED的制备 | 第30-37页 |
| 3.2.1 ITO玻璃基板的图形化 | 第30-31页 |
| 3.2.2 ITO表面处理 | 第31页 |
| 3.2.3 功能层的旋涂工艺及膜厚控制 | 第31-37页 |
| 3.3 量子点器件失效分析 | 第37-41页 |
| 3.3.1 阴极表面气泡的分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 有机材料的稳定性 | 第39-40页 |
| 3.3.3 电极材料及其界面对器件的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 空穴传输层对量子点器件性能的研究 | 第43-51页 |
| 4.1 空穴传输层厚度对量子点LED性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 空穴传输材料迁移率对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.3 空穴传输层的掺杂改性 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 对胶质量子点修饰的初探 | 第51-62页 |
| 5.1 金属有机沉积法（MOD）制备GaN薄膜 | 第51-58页 |
| 5.1.1 MOD法制备GaN薄膜 | 第51-54页 |
| 5.1.2 MOD法制备低温非晶GaN薄膜研究 | 第54-58页 |
| 5.2 量子点的修饰及表征 | 第58-61页 |
| 5.2.1 CdSe/ZnS核壳结构量子点的修饰 | 第58-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 6.1 结论 | 第62页 |
| 6.2 本论文主要创新 | 第62-63页 |
| 6.3 工作展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |