| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 有机电致发光器件的发展及应用 | 第11-13页 |
| 1.3 有机电致发光基础理论 | 第13-19页 |
| 1.3.1 OLED 显示器的分类 | 第13-14页 |
| 1.3.2 OLED 器件的结构和发光原理 | 第14-16页 |
| 1.3.2.1 OLED 器件结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2.2 OLED 器件的发光原理 | 第15-16页 |
| 1.3.3 有机电致发光器件常用的材料 | 第16-18页 |
| 1.3.4 评价 OLED 器件的主要参数 | 第18-19页 |
| 1.4 顶发射有机电致发光器件的现状 | 第19-20页 |
| 1.5 实验设备介绍 | 第20-22页 |
| 1.5.1 真空蒸镀仪 | 第20页 |
| 1.5.2 直流磁控溅射镀膜仪 | 第20-22页 |
| 1.6 本论文主要工作 | 第22-23页 |
| 2 底发射 OLED 器件性能研究 | 第23-36页 |
| 2.1 功能层厚度匹配对 OLED 器件性能影响 | 第23-24页 |
| 2.2 底发射 OLED 器件的制备及性能测试 | 第24-26页 |
| 2.2.1 底发射 OLED 器件的结构和制备 | 第24-26页 |
| 2.2.2 底发射 OLED 器件的性能测试 | 第26页 |
| 2.3 电子传输层（ETL）厚度对 OLED 器件的影响 | 第26-29页 |
| 2.3.1 引言 | 第26页 |
| 2.3.2 实验 | 第26-27页 |
| 2.3.3 结果分析 | 第27-29页 |
| 2.4 空穴传输层（HTL）厚度对 OLED 器件的影响 | 第29-31页 |
| 2.4.1 引言 | 第29页 |
| 2.4.2 实验 | 第29-30页 |
| 2.4.3 结果分析 | 第30-31页 |
| 2.5 空穴缓冲层（CuPc）对 OLED 器件的影响 | 第31-35页 |
| 2.5.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.5.2 实验 | 第32-33页 |
| 2.5.3 结果分析 | 第33-35页 |
| 2.6 小结 | 第35-36页 |
| 3 能量过滤磁控溅射低温沉积 ITO 薄膜的研究 | 第36-47页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 能量过滤磁控溅射技术制备 ITO 薄膜 | 第37-38页 |
| 3.3 ITO 薄膜的表征方法 | 第38-39页 |
| 3.4 过滤电极网栅目数对 ITO 薄膜光电性能的影响 | 第39-42页 |
| 3.4.1 实验 | 第39-40页 |
| 3.4.2 网栅目数对 ITO 薄膜表面形貌的影响 | 第40页 |
| 3.4.3 网栅目数对 ITO 薄膜光学性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.4 网栅目数对 ITO 薄膜电学性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.5 衬底温度对 ITO 薄膜光电性能的影响 | 第42-45页 |
| 3.5.1 实验 | 第43页 |
| 3.5.2 衬底温度对 ITO 薄膜光学性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.3 衬底温度对 ITO 薄膜电学性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.6 小结 | 第45-47页 |
| 4 顶发射 OLED 器件性能的研究 | 第47-66页 |
| 4.1 金属阴极 TOLED 器件的制备 | 第47-50页 |
| 4.1.1 TOLED 器件的制备 | 第47-48页 |
| 4.1.2 TOLED 器件的亮度—电压特性曲线 | 第48-49页 |
| 4.1.3 TOLED 器件的电流密度-电压特性曲线 | 第49-50页 |
| 4.2 在硅基场发射阴极上制备 TOLED 器件 | 第50-65页 |
| 4.2.1 射频等离子化学气相沉积（RF-PECVD）制备纳米非晶碳膜 | 第51-54页 |
| 4.2.1.1 实验仪器介绍 | 第52-53页 |
| 4.2.1.2 纳米非晶碳薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 4.2.1.3 纳米非晶碳薄膜的性能表征 | 第54页 |
| 4.2.2 不同的衬底处理方式对非晶碳薄膜性能的影响 | 第54-59页 |
| 4.2.2.1 不同衬底处理的非晶碳膜的制备 | 第55-56页 |
| 4.2.2.2 不同衬底处理方式对非晶碳膜表面形貌影响 | 第56-57页 |
| 4.2.2.3 不同衬底处理方式的非晶碳膜拉曼分析 | 第57-59页 |
| 4.2.2.4 结论 | 第59页 |
| 4.2.3 硅基碳基薄膜为阴极的 TOLED 器件的制备 | 第59-63页 |
| 4.2.3.1 实验 | 第60-61页 |
| 4.2.3.2 结果分析 | 第61-62页 |
| 4.2.3.3 结论 | 第62-63页 |
| 4.2.4 ITO 为阳极的硅基 TOLED 器件的制备 | 第63-65页 |
| 4.2.4.1 实验 | 第63-64页 |
| 4.2.4.2 TOLED 器件的性能表征 | 第64-65页 |
| 4.3 小结 | 第65-66页 |
| 5 结论 | 第66-68页 |
| 6 存在的问题及展望 | 第68-69页 |
| 6.1 存在的问题 | 第68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 个人简历 | 第74页 |
