| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 碳化硅材料特性简介 | 第9-11页 |
| 1.2 碳化硅VDMOS功率器件的研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3 碳化硅VDMOS功率器件发展概况 | 第12-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 高压 4H-SiC VDMOS器件结构设计 | 第16-51页 |
| 2.1 反型层迁移率模型 | 第16-18页 |
| 2.2 元胞结构设计 | 第18-32页 |
| 2.2.1 JFET区宽度 | 第19-22页 |
| 2.2.2 沟道长度 | 第22-24页 |
| 2.2.3 栅氧化层厚度 | 第24-27页 |
| 2.2.4 Pbase区掺杂分布 | 第27-32页 |
| 2.3 结终端设计 | 第32-49页 |
| 2.3.1 场限环 | 第32-42页 |
| 2.3.1.1 均匀环间距场限环 | 第33-38页 |
| 2.3.1.2 缓变环间距场限环 | 第38-42页 |
| 2.3.2 结终端扩展 | 第42-49页 |
| 2.3.2.1 单次刻蚀JTE | 第44-47页 |
| 2.3.2.2 两次刻蚀JTE | 第47-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 高压 4H-SiC VDMOS器件关键工艺研究 | 第51-67页 |
| 3.1 离子注入工艺 | 第52-57页 |
| 3.2 沟道自对准工艺 | 第57-61页 |
| 3.3 高压 4H-SiC VDMOS工艺流程 | 第61-62页 |
| 3.4 版图设计 | 第62页 |
| 3.5 流片结果及失效分析 | 第62-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75-76页 |