| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第9-14页 |
| 1.1.1 电离辐射效应及其影响 | 第10-12页 |
| 1.1.2 SRAM抗辐照加固的重要性 | 第12-13页 |
| 1.1.3 SRAM中的单粒子效应 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外相关研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的组织架构 | 第16-17页 |
| 第二章 抗辐照SRAM的加固理论研究 | 第17-28页 |
| 2.1 SRAM存储单元基本结构 | 第17-18页 |
| 2.2 SRAM存储单元工作原理 | 第18-20页 |
| 2.3 SRAM存储单元翻转机理 | 第20-21页 |
| 2.4 SRAM单元加固方法 | 第21-24页 |
| 2.4.1 电阻电容加固 | 第21-22页 |
| 2.4.2 工艺加固 | 第22页 |
| 2.4.3 设计加固 | 第22-24页 |
| 2.4.4 系统级加固 | 第24页 |
| 2.5 现有抗辐照SRAM加固单元的分析 | 第24-27页 |
| 2.6 总结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于65nm体硅工艺的SRAM存储单元加固设计与仿真 | 第28-40页 |
| 3.1 加固设计思路 | 第28-30页 |
| 3.2 加固存储单元电路的结构设计 | 第30-35页 |
| 3.2.1 加固存储单元的基本结构 | 第30-31页 |
| 3.2.2 加固存储单元的工作原理 | 第31-35页 |
| 3.3 加固SRAM单元电路性能仿真 | 第35-39页 |
| 3.3.1 读写速度 | 第36页 |
| 3.3.2 单元稳定性 | 第36-38页 |
| 3.3.3 功耗 | 第38-39页 |
| 3.4 总结 | 第39-40页 |
| 第四章 抗辐照SRAM版图设计与验证 | 第40-54页 |
| 4.1 版图级的加固方法 | 第40-41页 |
| 4.2 版图的布局与规划 | 第41-43页 |
| 4.3 版图验证与仿真 | 第43-53页 |
| 4.3.1 TCAD软件介绍 | 第43页 |
| 4.3.2 仿真设置 | 第43-44页 |
| 4.3.3 RHU 14T抗辐照SRAM单元的抗SEU仿真验证 | 第44-49页 |
| 4.3.4 RHB 14T抗辐照SRAM单元的抗SEU仿真验证 | 第49-53页 |
| 4.4 总结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结和展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间取得的学术成果 | 第62页 |
