| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 磁电阻效应 | 第12-17页 |
| 1.2.1 正常磁电阻效应(OMR) | 第12-13页 |
| 1.2.2 各向异性磁电阻效应(AMR) | 第13-15页 |
| 1.2.3 巨磁电阻效应(GMR) | 第15-16页 |
| 1.2.4 隧道磁电阻效应(TMR) | 第16-17页 |
| 1.3 畴壁 | 第17-21页 |
| 1.3.1 磁畴 | 第17-18页 |
| 1.3.2 畴壁 | 第18-21页 |
| 1.4 本论文的选题背景和主要研究方向 | 第21-25页 |
| 1.4.1 畴壁位置的确认 | 第21-23页 |
| 1.4.2 畴壁磁电阻的变化现象 | 第23-25页 |
| 第二章 薄膜样品的制备流程 | 第25-48页 |
| 2.1 掩膜版的设计 | 第26-27页 |
| 2.2 硅片的清洗 | 第27-29页 |
| 2.3 磁控溅射镀膜 | 第29-36页 |
| 2.3.1 磁控溅射原理 | 第29-30页 |
| 2.3.2 磁控溅射设备 | 第30-31页 |
| 2.3.3 磁控溅射镀膜系统的操作步骤 | 第31-32页 |
| 2.3.4 磁控溅射镀膜流程 | 第32-36页 |
| 2.4 离子束刻蚀 | 第36-41页 |
| 2.4.1 覆盖掩膜版 | 第37-38页 |
| 2.4.2 离子束刻蚀 | 第38-39页 |
| 2.4.3 等离子清洗 | 第39-40页 |
| 2.4.4 制备顶电极 | 第40-41页 |
| 2.5 样品切割 | 第41页 |
| 2.6 薄膜样品的测试 | 第41-48页 |
| 2.6.1 振动样品磁强计(VSM) | 第41-44页 |
| 2.6.2 磁电阻测试 | 第44-45页 |
| 2.6.3 磁光克尔显微镜 | 第45-48页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第48-61页 |
| 3.1 Co/Py横向异质结结构样品的畴壁磁电阻 | 第48-55页 |
| 3.2 在Py中掺杂了Cr、Cu的Co/Py横向异质结结构样品的畴壁磁电阻变化 | 第55-61页 |
| 第四章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文和专利 | 第72页 |